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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SGL41-20-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-20-E3/96 0.7400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Do-213ab, melf SGL41 Schottky GL41 (DO-213AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
RGP15K-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15K-E3/73 -
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial RGP15 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a -
GI504-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI504-E3/54 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial GI504 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 9.4 A 2 µs 5 µA @ 400 V -50 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
SS16HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS16HE3_A/H -
RFQ
 ECAD 3921 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS16 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 1 A 200 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
US1A-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1A-M3/5at 0.0825
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TLZ12C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ12C-GS18 0.0335
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Tlz Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TLZ12 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 40 na @ 11.2 V 12 V 12 ohmios
1N5399GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5399GP-E3/73 0.6000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5399 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
VS-40HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR100 10.1800
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 40HFR100 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 125 A 9 Ma @ 1000 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
V40PWM12CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40PWM12CHM3/I 0.7442
RFQ
 ECAD 5605 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 V40PWM12 Schottky Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 20A 1 V @ 20 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C
VSKC250-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKC250-12 -
RFQ
 ECAD 8695 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Monte del Chasis 3-MAGN-A-PAK ™ VSKC250 Estándar Magn-A-Pak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 250a 50 Ma @ 1200 V
VS-MBR1045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1045-N3 -
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 MBR10 Schottky TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSMBR1045N3 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 840 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A 600pf @ 5V, 1MHz
AR1PD-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1PD-M3/85A 0.1205
RFQ
 ECAD 4851 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA Ar1 Avalancha DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.25 v @ 1 a 140 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12.5pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA08TA60CSR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TA60CSR-M3 0.4648
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HFA08 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 4A (DC) 2.2 v @ 8 a 42 ns 3 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
SMZJ3793BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3793BHE3/5B -
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMZJ37 1.5 W DO-214AA (SMBJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 11.4 V 15 V 9 ohmios
EGP20FHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20FHE3/54 -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial EGP20 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.25 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
MPG06D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06D-E3/73 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Mpg06, axial Mpg06 Estándar Mpg06 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
IRKT56/14A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkt56/14a -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Add-a-pak (3 + 4) Irkt56 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1.4 kV 135 A 2.5 V 1310a, 1370a 150 Ma 60 A 1 scr, 1 diodo
MBR1560CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1560CT-E3/45 1.3300
RFQ
 ECAD 730 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1560 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 7.5a 750 MV @ 7.5 A 1 ma @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
GP10MHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10MHE3/73 -
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
VS-ST230C08C0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230C08C0 57.8625
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200ab, A-PUK ST230 A-200ab, A-PUK descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 12 600 mA 800 V 780 A 3 V 5700a, 5970a 150 Ma 1.69 V 410 A 30 Ma Recuperación
VS-ST330S14P0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST330S14P0 224.1617
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Chasis, Soporte de semento TO-209AE, TO-118-4, Stud ST330 TO-209AE (TO-118) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 600 mA 1.4 kV 520 A 3 V 9000A, 9420A 200 MA 1.52 V 330 A 50 Ma Recuperación
VS-8TQ100GSTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100GSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 8TQ100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) VS8TQ100GSTRRPBF EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 720 MV @ 8 A 280 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 500pf @ 5V, 1MHz
MMSZ4694-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4694-HE3-18 0.0378
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4694 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 µA @ 6.2 V 8.2 V
V15K120C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K120C-M3/I 0.4519
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn Schottky Flatpak (5x6) descascar Alcanzar sin afectado 112-V15K120C-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 3.8a 810 MV @ 7.5 A 800 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
ES3BHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es3bhe3/9at -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC 3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 3 A 30 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SS12HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12HE3_A/I -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS12 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 200 µA @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
GPP15D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP15D-E3/73 -
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial GPP15 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 8PF @ 4V, 1MHz
AR3PG-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PG-M3/86A 0.3185
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN AR3 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.6 v @ 3 a 140 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 44pf @ 4V, 1 MHz
UGB18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB18DCT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab UGB18 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 18A 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-6F80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6F80 4.1609
RFQ
 ECAD 5752 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 6F80 Estándar DO-203AA (DO-4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 19 a 12 Ma @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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