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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Rs3dhe3_a/i | 0.2549 |  | 7364 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3d | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | BYV29-400HE3/45 | - | | 6910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYV29 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||
 | AZ23B2V7-G3-18 | 0.0594 | | 7127 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B2V7 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 2.7 V | 83 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N4148W-G3-18 | 0.2800 | | 32 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | 1N4148 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||||||||||||||
| S5A-M3/9AT | 0.1549 | | 2906 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5A | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | VLZ47-GS08 | - | | 6639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ47 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 41.8 V | 46.5 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Vit3080S-M3/4W | 0.6648 | | 6844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Vit3080 | Schottky | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 950 MV @ 30 A | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||
 | SMBZ5924B-E3/5B | 0.2617 | | 9166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5924 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 V @ 200 Ma | 25 µA @ 7 V | 9.1 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| MMSZ5225B-E3-08 | 0.2700 | | 105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5225 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| AZ23C43-HE3_A-18 | - | | 8647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-AZ23C43-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | ZM4755A-GS18 | 0.1089 | | 1686 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4755 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | ZM4755AGS18 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | HFA320NJ40C | - | | 1709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | HFA320 | Estándar | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 321a (DC) | 1.55 V @ 320 A | 140 ns | 12 µA @ 400 V | |||||||||||||||||||||||
 | RGP10ke-E3/54 | 0.1754 | | 8538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | Byg24j-e3/tr3 | 0.1931 | | 5585 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg24 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 1.5 A | 140 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||
| MMSZ4706-G3-08 | 0.0409 | | 5248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4706 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 14.4 V | 19 V | ||||||||||||||||||||||||||
| BZG05B75-HM3-18 | 0.2079 | | 9068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05B75 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 135 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| VS-45L20 | 35.6840 | | 1443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Montaje | DO-205AC, DO-30, Stud | 45L20 | Estándar | DO-205AC (DO-30) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS45L20 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.33 v @ 471 a | -40 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||||||
 | SE30AFD-M3/6B | 0.1228 | | 4473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SE30 | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | 19PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | VS-25TTS08Strl-M3 | 2.1000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 25TTS08 | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 150 Ma | 800 V | 25 A | 2 V | 350A @ 50Hz | 45 Ma | 1.25 V | 16 A | 10 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||||
 | UGF8BT-E3/45 | - | | 1077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | UGF8 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 v @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||
 | BZX384B3V9-HE3-18 | 0.0378 | | 9914 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B3V9 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| BZG05C8V2-E3-TR3 | - | | 7631 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | TZM5254C-GS08 | - | | 1508 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5254 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| S1ghe3/5at | - | | 5439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1g | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | VS-20CDH02-M3/I | 1.3600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | 20CDH02 | Estándar | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.05 v @ 10 a | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
| 1N5399-E3/54 | 0.3700 | | 95 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5399 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | SMZJ3803BHM3_A/H | 0.5000 | | 3672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3803 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-VSKH170-16PBF | 180.2450 | | 4213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Magn-a-pak (3) | VSKH170 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKH17016PBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 400 V | 377 A | 3 V | 5100a, 5350a | 200 MA | 170 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||
 | BZD27C56P-HE3-08 | 0.4500 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27C56 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 43 V | 56 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| VS-94-3163PBF | - | | 6034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 |
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