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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | By458tap | 0.2772 |  | 6764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BY458 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.6 v @ 3 a | 2 µs | 3 µA @ 1200 V | 140 ° C (Máximo) | 2A | - | ||||||||||||||||||
 | VS-2EGH02-M3/5BT | 0.1529 | | 9500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 2EGH02 | Estándar | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 2 A | 23 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||
 | MMBZ5263B-G3-08 | - | | 6198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5263 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | BZM55B62-TR | 0.0433 | | 7705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55B62 | 500 MW | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 1000 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | GI250-4HE3/73 | - | | 2907 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GI250 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 4000 V | 3.5 V @ 250 Ma | 2 µs | 5 µA @ 4000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | 47CTQ020-1 | - | | 4957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | 47ctq | Schottky | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *47CTQ020-1 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 20A | 450 MV @ 20 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
 | GDZ10B-HG3-18 | 0.0523 | | 1223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ10 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 7 V | 10 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||
| SB140-E3/73 | 0.4600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SB140 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 480 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
 | BZD27C11P-HE3-18 | 0.1520 | | 2949 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||
| GP10GHE3/73 | - | | 9518 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
 | VS-20ETF08StrrPBF | - | | 5138 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vs20etf08Strrpbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.31 v @ 20 a | 95 ns | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||
 | SS1P5L-E3/84A | - | | 1265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS1P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 590 MV @ 1 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
| VS-32CTQ025Strl-M3 | 0.8966 | | 8655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 32CTQ025 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 25 V | 15A | 490 MV @ 15 A | 1.75 ma @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
 | 30WQ03FNTRR | - | | 5498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 30WQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 3 A | 2 Ma @ 30 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | - | |||||||||||||||||||
 | VS-SD2500C24K | 232.6950 | | 8486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Apretar | DO-200AC, K-PUK | SD2500 | Estándar | DO-200AC, K-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSSD2500C24K | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2400 V | 1.14 V @ 4000 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 3000A | - | |||||||||||||||||||
 | VS-80PFR140 | 5.8391 | | 4807 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 80pFr140 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS80PFR140 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.46 V @ 220 A | -55 ° C ~ 150 ° C | 80A | - | |||||||||||||||||||
| V8pa10hm3/i | 0.5600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma | V8PA10 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 760 MV @ 8 A | 800 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | 850pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
| BY29B-400HE3/45 | - | | 3222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BY229 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||
| UF4006-E3/73 | 0.5000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF4006 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| VS-MBRB4045CTRHM3 | 1.4447 | | 3658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB4045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 600 MV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
 | PLZ24B-HG3_A/H | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ24 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 19 V | 23.19 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MBRB1645-E3/45 | 1.4700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB1645 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||||
 | MMSZ4682-E3-08 | 0.2700 | | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 1 V | 2.7 V | ||||||||||||||||||||||
| V40pwm60chm3/i | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V40PWM60 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 720 MV @ 20 A | 1.4 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
 | V10km120chm3/i | 0.3557 | | 1401 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-v10km120chm3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 3.9a | 830 MV @ 5 A | 200 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||
| BZD27B200P-E3-08 | 0.1155 | | 5721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B200 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | VS-20TQ040-M3 | 0.6673 | | 1890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 20TQ040 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 730 MV @ 40 A | 2.7 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| VS-GT400TH120N | - | | 2344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 8) | GT400 | 2119 W | Estándar | Doble int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGT400TH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | Zanja | 1200 V | 600 A | 2.15V @ 15V, 400A | 5 Ma | No | 28.8 NF @ 25 V | |||||||||||||||
| VS-43CTQ100StrlPBF | - | | 2489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 43ctq100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 810 MV @ 20 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
 | VS-60CTQ035-M3 | 1.4522 | | 9215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 60ctq035 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 30A | 720 MV @ 60 A | 2 Ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C |
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