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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VT2080S-M3/4W | 0.6042 |  | 8104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | VT2080 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VT2080SM34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 920 MV @ 20 A | 700 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||
 | ZMM5263B-13 | - | | 5454 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5263B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | GF1G-E3/67A | 0.4900 | | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214BA | GF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
 | MMSZ5254B-HE3-18 | 0.0378 | | 9525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5254 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | SS1P4-E3/85A | - | | 1476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS1P4 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 1 A | 150 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
| ES1PDHE3/85A | - | | 3774 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | ES1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
 | VS-6FLR80S05 | 5.7283 | | 4702 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 6FLR80 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.4 v @ 6 a | 500 ns | 50 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||
| VS-VSKV71/08 | 45.0910 | | 5656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Add-a-pak (3 + 4) | VSKV71 | Ánodo Común: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKV7108 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 800 V | 115 A | 2.5 V | 1300a, 1360a | 150 Ma | 75 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||
 | V2fm15-m3/i | 0.0759 | | 1877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | V2FM15 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.46 v @ 2 a | 50 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2A | 90pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | Ns8mthe3/45 | - | | 2805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | NS8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||||||
 | SS10P6-M3/86A | 0.8900 | | 65 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS10P6 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 550 MV @ 7 A | 150 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 7A | - | ||||||||||||||||||||||
 | 50WQ10FN | - | | 1143 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 50WQ10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 770 MV @ 5 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5a | 183pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | V60DM60C-M3/I | 2.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V60DM60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 30A | 710 MV @ 30 A | 2.1 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
 | BZG05C3V3-HM3-18 | 0.4300 | | 2488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C3V3 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 40 µA @ 1 V | 3.3 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| VS-VSKE270-12PBF | 149.9550 | | 8295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKE270 | Estándar | Magn-A-Pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKE27012PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 50 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 270a | - | ||||||||||||||||||||||
| SS8P3LHM3/87A | - | | 6060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss8p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 570 MV @ 8 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 330pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
| MBR15H50CT-E3/45 | - | | 4919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR15 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 7.5a | 730 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
 | VS-ETU1506STRLHM3 | 0.9063 | | 1860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | ETU1506 | Estándar | TO-263 (D2PAK) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 V @ 15 A | 40 ns | 15 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||
| V35pw45hm3/i | 1.3600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V35PW45 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 620 MV @ 35 A | 2.5 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 35a | 4230pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| VS-ST180C18C1 | 120.3842 | | 4034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | A-200ab, A-PUK | ST180 | A-200ab, A-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSST180C18C1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1.8 kV | 660 A | 3 V | 4200A, 4400A | 150 Ma | 1.96 V | 350 A | 30 Ma | Recuperación | ||||||||||||||||||
 | BZX84B4V7-HE3_A-08 | 0.0498 | | 2352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84B4V7-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | RMPG06G-E3/54 | 0.1016 | | 9884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | RMPG06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
| SS5P6HM3J_A/H | - | | 2417 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P6 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 690 MV @ 5 A | 150 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 200pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | VS-SD553C30S50L | 162.0800 | | 1641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | Do-200ab, B-PUK | SD553 | Estándar | Do-200ab, B-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3000 V | 3.24 V @ 1500 A | 5 µs | 75 mA @ 3000 V | 560A | - | ||||||||||||||||||||||
| VS-4EWH02FNTRR-M3 | 0.3406 | | 1002 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 4ewh02 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS4EWH02FNTRRM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 4 A | 20 ns | 3 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | ||||||||||||||||||||
 | BZM55B5V6-TR3 | 0.3200 | | 140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55B5V6 | 500 MW | Micromo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 450 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Irkc56/08a | - | | 3190 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | Irkc56 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 800 V | 60A | 10 Ma @ 800 V | ||||||||||||||||||||||||
 | SRP300A-E3/73 | - | | 3588 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Srp300 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 3 A | 100 ns | 10 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
 | Rs3b-e3/57t | 0.6600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
 | VSKTF180-08HK | - | | 8823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKTF180 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 mA | 800 V | 400 A | 3 V | 7130a, 7470a | 200 MA | 180 A | 2 SCRS |
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