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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-50SQ100TR	-	RFQ	7740	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	50sq100	Schottky			Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		660 MV @ 5 A		550 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
UG1C-E3/73	-	RFQ	5617	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UG1	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		950 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZX384C56-E3-08	0.2400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C56		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																	50 na @ 39.2 V					56 V	200 ohmios
1N444448WS-HE3-08	0.2700	RFQ	42	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	1N4448	Estándar			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												75 V		720 MV @ 5 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
VS-VSKJ91/08	38.8100	RFQ	6761	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKJ91	Estándar			Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ9108	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Ánodo Común	800 V	50A			10 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-25ria60m	17.1757	RFQ	9370	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-208AA, TO-48-3, Stud	25ria60				TO-208AA (TO-48)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS25RIA60M	EAR99	8541.30.0080	100		130 Ma	600 V	40 A	2 V	350a, 370a	60 Ma	1.7 V	25 A	10 Ma	Recuperación
VSKTF180-12HJ	-	RFQ	7792	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKTF180			Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2		600 mA	1.2 kV	400 A	3 V	7130a, 7470a	200 MA		180 A												2 SCRS
VS-APU6006L-M3	-	RFQ	5637	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	APU6006	Estándar			TO-247-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	300	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.5 V @ 60 A	110 ns	30 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	60A	-
30CTH02-1	-	RFQ	4933	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	30cth	Estándar			Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*30CTH02-1	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MMBZ5263C-E3-18	-	RFQ	1381	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5263		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 43 V					56 V	150 ohmios
VS-80SQ035TR	-	RFQ	3385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	80SQ035	Schottky			Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												35 V		530 MV @ 8 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
SML4762HE3_A/I	0.1434	RFQ	4539	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4762		1 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																	5 µA @ 62.2 V					82 V	200 ohmios
BZT55B16-GS08	0.0433	RFQ	5661	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55B16		500 MW		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500															1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 12 V					16 V	40 ohmios
VBT1045CBP-E3/8W	1.2400	RFQ	3492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT1045	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	5A	580 MV @ 5 A		500 µA @ 45 V	200 ° C (Max)
VS-T85HFL10S02	40.4870	RFQ	5694	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	D-55 T-Módulo	T85	Estándar			D-55	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V			200 ns	20 Ma @ 100 V		85a	-
VS-ST333C08LFL0	198.2567	RFQ	4461	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	TO-200AB, E-PUK	ST333				TO-200AB (E-PUK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3		600 mA	800 V	1435 A	3 V	11000A, 11500A	200 MA	1.96 V	720 A	50 Ma	Recuperación
S1flj-GS18	0.0512	RFQ	1389	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	S1F	Estándar			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	700mA	4PF @ 4V, 1MHz
VS-VSKL26/04	73.6950	RFQ	9595	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 4)	VSKL26			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKL2604	EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	400 V	60 A	2.5 V	400a, 420a	150 Ma		27 A												1 scr, 1 diodo
RGP10GHE3/54	-	RFQ	8418	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VI30100C-M3/4W	0.8542	RFQ	3907	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI30100	Schottky			Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	15A	800 MV @ 15 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-20CTQ045-1PBF	-	RFQ	5665	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	20CTQ045	Schottky			Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	20A	760 MV @ 20 A		2 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-10ETF02StrrPBF	-	RFQ	6657	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf02	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS10ETF02STRPBF	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-8AF1NPP	-	RFQ	7319	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-47	8AF1	Estándar			B-47	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V				7 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 195 ° C	50A	-
BZT03C100-TR	0.6400	RFQ	4221	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C100		1.3 W		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 75 V					100 V	200 ohmios
VS-75EPU12LHN3	3.6952	RFQ	2501	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	75EPU12	Estándar			Un 247ad	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1200 V		2.55 V @ 75 A	265 ns	420 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	75a	-
SBL1640CThe3/45	-	RFQ	2643	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	SBL1640	Schottky			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	40 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 125 ° C
VS-SD603C22S20C	135.1808	RFQ	9486	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	DO-200AA, A-PUK	SD603	Estándar			B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2200 V		2.97 V @ 1885 A	2 µs	45 Ma @ 2200 V		600A	-
30BQ060	-	RFQ	9676	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	30BQ060	Schottky			DO-214AB (SMC)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V		580 MV @ 3 A		500 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
MBRF1090-E3/4W	0.6961	RFQ	7722	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF1090	Schottky			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												90 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Byg20d-m3/tr3	0.1518	RFQ	5975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg20	Avalancha			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.4 V @ 1.5 A	75 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-