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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SMZG3799A-E3/52	-	RFQ	4600	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMZG37		1.5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750																	5 µA @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
BZX84B8V2-G3-08	0.0389	RFQ	9425	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Bzx84b8v2		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	700 na @ 5 V				8.2 V	15 ohmios
VS-5EWH06FNTR-M3	0.8500	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	5ewh06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.85 v @ 5 a	25 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
BZD27B75P-E3-18	0.1050	RFQ	4332	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B75		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000															1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 V	100 ohmios
BYM07-50HE3/98	-	RFQ	7625	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	BYM07	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
VS-86HF100	14.7416	RFQ	9897	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	86HF100	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.2 V @ 267 A		9 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
VS-80-7844	-	RFQ	1741	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7844				-				112-VS-80-7844			1
BZX384C4V7-E3-08	0.2400	RFQ	56	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C4V7		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																	3 µA @ 2 V				4.7 V	80 ohmios
BZX84B5V6-G3-08	0.2900	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B5V6		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1 µA @ 2 V				5.6 V	40 ohmios
VB10150S-M3/8W	0.6527	RFQ	3454	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB10150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.2 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SBL1640CThe3/45	-	RFQ	2643	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	SBL1640	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	40 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 125 ° C
VS-SD603C22S20C	135.1808	RFQ	9486	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	DO-200AA, A-PUK	SD603	Estándar		B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2200 V		2.97 V @ 1885 A	2 µs	45 Ma @ 2200 V		600A	-
1N4248GPHE3/54	-	RFQ	1276	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4248	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.2 v @ 1 a		1 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 160 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
SBLB10L25HE3_B/I	0.8580	RFQ	7273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-SBLB10L25HE3_B/ITR	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												25 V		460 MV @ 10 A		800 µA @ 25 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SBLB25L25CT-E3/45	-	RFQ	5378	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB25L25	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	25 V	12.5a	490 MV @ 12.5 A		900 µA @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-ST173C10CFK1	79.4175	RFQ	7176	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST173			A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSST173C10CFK1	EAR99	8541.30.0080	12		600 mA	1 kV	610 A	3 V	3940a, 4120a	200 MA	2.07 V	330 A	40 Ma	Recuperación
Bas34-tap	0.3500	RFQ	90	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAS34	Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												60 V		1 V @ 100 Ma		1 na @ 30 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	3PF @ 0V, 1MHz
MBR2545CT-1	-	RFQ	5232	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	MBR2545	Schottky		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*MBR2545CT-1	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	45 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SMBZ5943B-E3/5B	0.1676	RFQ	1407	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBZ5943		3 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200															1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 42.6 V				56 V	86 ohmios
VS-50WQ03FNTRLHM3	0.5016	RFQ	5466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	50WQ03	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		460 MV @ 5 A		3 Ma @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5a	590pf @ 5V, 1MHz
VS-71HF100	12.9792	RFQ	8909	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	71HF100	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.35 V @ 220 A		9 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
BZD27C120P-M-18	-	RFQ	7685	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C120		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000															1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91 V				120 V	250 ohmios
VS-MUR1020CTPBF	-	RFQ	8271	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	MUR1020	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	5A	990 MV @ 5 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
PLZ30D-G3/H	0.3100	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ30		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500															900 MV @ 10 Ma		200 na @ 23 V				30 V	55 ohmios
8ews10strl	-	RFQ	6242	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8ews10	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.1 v @ 8 a		50 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
S1PJ-M3/84A	0.3900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	S1P	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1 MHz
BZX384B6V8-G3-18	0.0445	RFQ	6950	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B6V8		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	2 µA @ 4 V				6.8 V	15 ohmios
V20PWM12-M3/I	0.9300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PWM12	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												120 V		1.02 v @ 20 a		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	20A	1350pf @ 4V, 1MHz
VS-16CTQ100-1-M3	0.9130	RFQ	5721	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	16CTQ100	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	100 V	8A	720 MV @ 8 A		550 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-MBR2080CTPBF	-	RFQ	9264	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR20	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	80 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 80 V	-65 ° C ~ 150 ° C