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Productos de semiconductoros discretos (31214)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AZ23B6V8-HE3-08 | 0.0534 |  | 8101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B6V8 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||
 | Z4ke170-E3/54 | - | | 5406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke170 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.500 | 500 na @ 122.4 V | 170 V | 1200 ohmios | |||||||||||||
 | ZM4734A-GS18 | 0.3900 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4734 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||||||
 | VS-MBRB1635-M3 | 1.7100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB1635 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
 | V20WM100C-M3/I | - | | 2298 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V20WM100 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 820 MV @ 10 A | 800 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
 | S1PK-M3/85A | 0.0592 | | 2850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | S1P | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | BY229-200HE3/45 | - | | 4235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BY229 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
| ESH2PD-M3/85A | 0.1681 | | 9787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | ESH2 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | ESH2CHE3/5BT | - | | 1234 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ESH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 930 MV @ 2 A | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | ||||||||||
 | SE12DD-M3/I | 0.9200 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | SE12 | Estándar | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 12 a | 3 µs | 20 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3.2a | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| Z4KE140A-E3/73 | - | | 6923 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke140 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 500 Ma | 500 na @ 106.4 V | 140 V | 900 ohmios | ||||||||||||
 | VLZ6V2B-GS08 | - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ6V2 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.12 V | 10 ohmios | ||||||||||||
 | VS-63CPQ100GPBF | - | | 9374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 63CPQ100 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VS63CPQ100GPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 30A | 920 MV @ 60 A | 300 µA @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||
 | VS-1N3892 | - | | 5337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3892 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.4 v @ 12 a | 300 ns | 25 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
 | SS1FH6-M3/H | 0.4400 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS1FH6 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 3 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 90pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
 | BZG05B9V1-E3-TR3 | - | | 5433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg05b | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1.98% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 6.8 V | 9.1 V | 5 ohmios | |||||||||||||
 | V40M120CHM3/4W | - | | 1201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V40M120 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 20A | 890 MV @ 20 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
| VT3080S-M3/4W | 0.6890 | | 1855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | VT3080 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VT3080SM34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 950 MV @ 30 A | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||
| BYV29-400-E3/45 | - | | 2811 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYV29 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
| UGF10CCT-E3/45 | - | | 1488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Estándar | ITO-220AB | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-TUGF10CCT-E3/45 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 1.25 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
 | SS34-7001HE3_A/I | - | | 4860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Ss34 | Schottky | DO-214AB (SMCJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
 | EGP30FHE3/73 | - | | 3909 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP30 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 v @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
| VS-30CTQ045-N3 | - | | 8043 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 30CTQ045 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-30CTQ045-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 620 MV @ 15 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
 | TZMB30-GS18 | 0.0411 | | 6247 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmb30 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 22 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||
 | BZX384B22-HE3-08 | 0.0378 | | 8983 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B22 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||||
| SS3P5-E3/84A | - | | 1480 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | SS3P5 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 780 MV @ 3 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| BZX384B33-HE3-08 | 0.0378 | | 1168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B33 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||
| BZX384C16-HE3-08 | 0.2600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C16 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||
 | AR3PM-M3/86A | 0.8100 | | 3723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AR3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.9 v @ 3 a | 120 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 34pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | DTV32F-E3/45 | - | | 2757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | DTV32 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.5 V @ 6 A | 175 ns | 100 µA @ 1500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - |
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