RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-MUrB1020CT-1PBF	-	RFQ	3111	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Murb1020	Estándar			Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	5A	990 MV @ 5 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-8ETX06SPBF	-	RFQ	6583	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etx06	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		3 V @ 8 A	17 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
Sblb1030cthe3/81	-	RFQ	7261	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB1030	Schottky			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	30 V	5A	550 MV @ 5 A		500 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C
VS-110RKI80	50.4696	RFQ	8855	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 140 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AC, TO-94-4, Stud	110RKI80				TO-209AC (TO-94)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	25		200 MA	800 V	172 A	2 V	2080a, 2180a	120 Ma	1.57 V	110 A	20 Ma	Recuperación
EGP10G-E3/73	-	RFQ	7225	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.25 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-15ETX06STRR-M3	0.6174	RFQ	6400	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15etx06	Estándar			To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		3.2 V @ 15 A	32 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
BZT52C33-G3-08	0.0409	RFQ	8549	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C33		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																	100 na @ 25 V					33 V	40 ohmios
Rs1fg-m3/i	0.0483	RFQ	5090	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Estándar			DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-RS1FG-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.25 v @ 1 a	500 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
BZG03C270-HM3-18	0.1898	RFQ	8385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 7.04%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C270		1.25 W		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 200 V					270 V	1000 ohmios
VS-71HFR40	9.2057	RFQ	6867	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	71HFR40	Polaridad Inversa Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.35 V @ 220 A		15 Ma @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	70a	-
VI20150SHM3/4W	-	RFQ	4393	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI20150	Schottky			Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		1.43 V @ 20 A		250 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MPG06D-E3/73	-	RFQ	6159	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar			Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
1N4935-E3/73	-	RFQ	8174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4935	Estándar			DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
MMBZ5246B-HE3-18	-	RFQ	4303	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5246		225 MW		Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 12 V					16 V	17 ohmios
1N4006GPE-M3/54	-	RFQ	5993	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero		1N4006					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500
BZD27B36P-E3-18	0.1155	RFQ	6311	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B36		800 MW		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000															1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27 V					36 V	40 ohmios
CS3G-E3/H	-	RFQ	2821	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	CS3	Estándar			DO-214AB (SMC)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.2 v @ 3 a	2.8 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	26pf @ 4V, 1MHz
Fep16athe3/45	-	RFQ	7660	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	FEP16	Estándar			Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	50 V	16A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VSKE250-20	-	RFQ	5589	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE250	Estándar			Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												2000 V				50 Ma @ 2000 V		250a	-
ES3C-M3/57T	0.2101	RFQ	1516	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ES3C	Estándar			DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												150 V		900 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
VS-ST330S14P0	224.1617	RFQ	5205	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Chasis, Soporte de semento	TO-209AE, TO-118-4, Stud	ST330				TO-209AE (TO-118)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	6		600 mA	1.4 kV	520 A	3 V	9000A, 9420A	200 MA	1.52 V	330 A	50 Ma	Recuperación
Ug12hthe3/45	-	RFQ	4723	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	UG12	Estándar			TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												500 V		1.75 V @ 12 A	50 ns	30 µA @ 500 V	150 ° C (Máximo)	12A	-
BZT52B5V6-E3-18	0.0415	RFQ	9977	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B5V6		410 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 1 V					5.6 V	10 ohmios
BZX384C2V4-G3-18	0.0389	RFQ	7952	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C2V4		200 MW		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																	50 µA @ 1 V					2.4 V	100 ohmios
SBLF1640CThe3/45	-	RFQ	7771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	SBLF1640	Schottky			ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	40 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 40 V	-40 ° C ~ 125 ° C
MBRF745-E3/45	1.1000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF745	Schottky			ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		840 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	-
Irkh56/06a	-	RFQ	6489	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Add-a-pak (3 + 2)	Irkh56			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	10		200 MA	600 V	135 A	2.5 V	1310a, 1370a	150 Ma		60 A												1 scr, 1 diodo
SBYV28-50-E3/54	0.6500	RFQ	768	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Sbyv28	Estándar			Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V		1.1 V @ 3.5 A	20 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3.5a	20pf @ 4V, 1 MHz
VS-87HFR10	8.7170	RFQ	3744	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	87HFR10	Polaridad Inversa Estándar			DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS87HFR10	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												100 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
Byg10d-e3/tr3	0.3900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha			DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-