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Productos de semiconductoros discretos (31214)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Hold (IH) (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-HFA04SD60STRP	-	RFQ	7028	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HFA04	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.8 V @ 4 A	42 ns	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	4A	-
BZG03B160-M3-08	0.2228	RFQ	4051	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03B160		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 120 V				160 V	350 ohmios
1N4249GPHE3/73	-	RFQ	6954	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4249	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1000 V		1.2 v @ 1 a		1 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 160 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
SS8P2L-E3/86A	-	RFQ	8643	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS8P2	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V		570 MV @ 8 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	330pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKC56/16	35.8240	RFQ	3905	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKC56	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKC5616	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											Conexión de la Serie de 1 par	1600 V	30A			10 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
30hfur-600	-	RFQ	6546	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	30hfur	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*30hfur-600	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V		1.45 V @ 30 A	80 ns	35 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 125 ° C	30A	-
BZG05C6V8-HE3-TR	-	RFQ	5641	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
MMBZ5242C-HE3-08	-	RFQ	5258	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5242		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000																		1 µA @ 9.1 V				12 V	30 ohmios
BAT43W-E3-08	0.3900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	BAT43	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												30 V		450 MV @ 15 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	7pf @ 1v, 1 MHz
VS-ST173C12CFP0	89.2383	RFQ	5460	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST173			A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.2 kV	610 A	3 V	4680a, 4900a	200 MA	2.07 V	330 A	40 Ma	Recuperación
MBRB1645	-	RFQ	9145	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB16	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-UFB120FA40P	-	RFQ	6409	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB120	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSUFB120FA40P	EAR99	8541.10.0080	180		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											2 Independientes	400 V	60A	1.37 v @ 60 a	65 ns	100 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SD103AW-HE3-18	0.0570	RFQ	9742	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	SD103	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
VS-ST230C12C0	70.8900	RFQ	6122	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	A-200ab, A-PUK	ST230			A-200ab, A-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12			600 mA	1.2 kV	780 A	3 V	5700a, 5970a	150 Ma	1.69 V	410 A	30 Ma	Recuperación
BZT52C16-E3-08	0.2700	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C16		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																		100 na @ 12 V				16 V	13 ohmios
SL13HE3/5AT	-	RFQ	6424	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SL13	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												30 V		445 MV @ 1 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1.5a	-
BZX84C2V4-E3-18	0.0306	RFQ	5063	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C2V4		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																		50 µA @ 1 V				2.4 V	100 ohmios
DZ23C5V6-HE3-18	0.0436	RFQ	5905	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común																	100 na @ 1 V				5.6 V	40 ohmios
NS8DT-E3/45	0.4259	RFQ	9180	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	NS8	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
S1K-M3/5AT	0.0508	RFQ	6127	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1K	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												800 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
SML4753AHE3_A/H	0.5600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4753		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																		5 µA @ 27.4 V				36 V	50 ohmios
VLZ30B-GS08	-	RFQ	1651	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ30		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500																1.5 V @ 200 Ma		40 µA @ 26.3 V				28.42 V	55 ohmios
BYQ28EB-200HE3_A/P	-	RFQ	4726	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BYQ28	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SML4735-E3/61	-	RFQ	1466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4735		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800																		10 µA @ 3 V				6.2 V	2 ohmios
VS-15ETH03-N3	-	RFQ	5607	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	15eth03	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-15ETH03-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												300 V		1.25 V @ 15 A	32 ns	40 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
V15p12hm3/h	0.9500	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15P12	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												120 V		810 MV @ 15 A		1 ma @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	15A	-
M10H100HE3_A/P	-	RFQ	2103	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	M10H100	Schottky		TO20AC	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V		880 MV @ 20 A		4.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
VS-VSMD400CW60	105.8160	RFQ	2347	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	TO-244AB	VSMD400	Estándar		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSMD400CW60	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											1 par Cátodo Común	600 V	200a	1.31 v @ 200 a		200 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C
Byg22dhe3_a/i	0.1815	RFQ	5771	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg22	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												200 V		1.1 v @ 2 a	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
AR3PGHM3/86A	-	RFQ	2095	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AR3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												400 V		1.6 v @ 3 a	140 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.8a	44pf @ 4V, 1 MHz