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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU604 | 0.3403 | ![]() | 6804 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU604 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 6 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
![]() | Gbu6005g | 0.3856 | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU6005 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | GBU8005 | 0.3856 | ![]() | 3856 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU8005 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 8 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | GBU804 | 0.3856 | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU804 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
![]() | Gbu8005g | 0.4084 | ![]() | 5926 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU8005 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 8 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | GBU1501 | 0.4678 | ![]() | 4376 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU1501 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 100 V | 15 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||
![]() | GBU1002 | 0.4084 | ![]() | 1428 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU1002 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
![]() | UG2KB40 | 0.1625 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG2KB40 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
![]() | UG3KB40G | 0.1841 | ![]() | 9212 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG3KB40 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 400 V | 3 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
![]() | UG3KB80G | 0.1841 | ![]() | 6903 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG3KB80 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 800 V | 3 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
![]() | UG4KB05 | 0.2169 | ![]() | 2716 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG4KB05 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | UG4KB20 | 0.2169 | ![]() | 9616 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG4KB20 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
![]() | GBJ601 | 0.5760 | ![]() | 3539 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ601 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||
![]() | GBJ608 | 0.5704 | ![]() | 6668 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ608 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
![]() | GBJ2508 | 0.8747 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ2508 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||
![]() | GBPC2502 | 2.8059 | ![]() | 1522 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC2502 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
![]() | GBPC35005 | 2.9664 | ![]() | 4749 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC35005 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | Abf10u | - | ![]() | 5138 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Abf10 | Estándar | Abf | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||
![]() | UG4KB60 | 0.5400 | ![]() | 920 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG4KB60 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
![]() | GBU1506 | 1.0300 | ![]() | 316 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU1506 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
![]() | GBU606 | 0.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU606 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 6 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
![]() | GBU810 | 0.9000 | ![]() | 603 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU810 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 1000 V | 8 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
![]() | GBJ1006 | 1.0800 | ![]() | 511 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ1006 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
![]() | GBPC3510W | 3.8100 | ![]() | 8843 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC3510 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1000 V | 35 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
![]() | KMB215S | 0.6100 | ![]() | 620 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | KMB215 | Schottky | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 2 A | 50 µA @ 150 V | 2 A | Fase única | 150 V | ||||||||||||
![]() | S3D06065L | 2.7900 | ![]() | 391 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-vsfn almohadillas | S3D06065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | 5-DFN (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 3 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24A | 382pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SZ2112.T | 0.6925 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Banda | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Morir | SZ2112 | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-1794 | EAR99 | 8541.10.0040 | 100 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5406G | - | ![]() | 4176 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N540 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 203DMQ100 | 65.7600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | PRM4 | 203DMQ | Schottky | PRM4 (AISLADO) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-203DMQ100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 9 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 100 V | 100A | 860 MV @ 100 A | 3 Ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | Rl107g | - | ![]() | 8562 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | RL107 | Estándar | A-405 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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