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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | 1N5248B | - | ![]() | 8009 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13.3 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S4D08120A | 4.0800 | ![]() | 284 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | S4D0812 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC (un 220-2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S4D08120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 15 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 560pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST16C-600BW | - | ![]() | 4730 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | SST16 | - | 1655-SST16C-600BW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2M0080120K | 15.3500 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 41a (TC) | 20V | 100mohm @ 20a, 20V | 4V @ 10mA | 54 NC @ 20 V | +25V, -10V | 1324 pf @ 1000 V | - | 231W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF04 | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF06 | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF06 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01 | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF01 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 50 V | 1 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF03 | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF03 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HBS810 | 0.6900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | HBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 1000 V | 8 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU2510 | 1.2200 | ![]() | 712 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU2510 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU2010 | 1.1200 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU2010 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | 20 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1c5711ag.t1 | 0.3175 | ![]() | 3559 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | Morir | 1C5711 | Schottky | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0040 | 400 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 410 MV @ 1 MA | 200 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1mera | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 401CMQ035 | 66.2045 | ![]() | 8872 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | PRM4 | 401cmq | Schottky | PRM4 (AISLADO) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 401CMQ035SMC | EAR99 | 8541.10.0080 | 9 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 200a | 670 MV @ 200 A | 20 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDURF1520CTR | 0.7000 | ![]() | 983 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Sdurf1520 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | - | 1.2 v @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR4045WT | 1.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR4045 | Schottky | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-1076 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | - | 700 MV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST24A-800BW | 1.6900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | SST24 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SST24 | A 220ins | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Soltero | 75 Ma | Estándar | 800 V | 25 A | 1.3 V | 250A @ 50Hz | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST1060S | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | ST1060 | Schottky | Un 277b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 600 MV @ 10 A | 360 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 560pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRD1545CT | 0.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRD1545 | Schottky | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | - | 650 MV @ 7.5 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDUR6030W | 2.5200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | SDUR6030 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-1197 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.4 V @ 60 A | 45 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 81CNQ035 | 15.5913 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | PRM2 | 81cnq | Schottky | PRM2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 81CNQ035SMC | EAR99 | 8541.10.0080 | 48 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 40A | 740 MV @ 40 A | 5 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5253 | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | - | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5262B | - | ![]() | 5685 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 37 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR103G | 0.0330 | ![]() | 4157 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | FR10 | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 140 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6A2G | - | ![]() | 5665 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | R-6, axial | Estándar | R-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 6 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 10DQ03 | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 10dq | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK2U200-400 | 24.3500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | SK2S200 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-SK2U200-400 | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 120A (DC) | 1.15 V @ 100 A | 150 ns | 50 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDUR2060CT | 0.9200 | ![]() | 443 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SDUR2060 | Estándar | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | - | 2.2 v @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4753A | - | ![]() | 3774 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG4KB40 | 0.2149 | ![]() | 1264 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG4KB40 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 183NQ100R-1 | 38.3100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | Medios de comunicación | 183NQ | Schottky | PRM1-1 (Módulo Medio Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 27 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 910 MV @ 180 A | 4.5 Ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 180A | 4150pf @ 5V, 1MHz |
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