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Productos de semiconductoros discretos (2437)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MBRB20100CT | 0.3992 |  | 7500 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20100 | Schottky | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | - | 900 MV @ 10 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1M | 0.1700 | | 80 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | - | Estándar | SMAF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-R1MCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Sdurf1030 | 0.6500 | | 972 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 10 A | 35 ns | 30 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S3D06065L | 2.7900 | | 391 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-vsfn almohadillas | S3D06065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | 5-DFN (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 3 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24A | 382pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST08C-800B | - | | 5247 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | SST08 | - | 1655-SST08C-800B | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST16C-800BW | - | | 6100 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | SST16 | - | 1655-SST16C-800BW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCT1225C | - | | 1112 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SCT1225 | A 220C | descascar | 1655-SCT1225C | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 120 Ma | 1.2 kV | 25 A | 1.5 V | 300A @ 50Hz | 40 Ma | 1.6 V | 10 µA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SST16C-600BW | - | | 4730 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | SST16 | - | 1655-SST16C-600BW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST08B-800CW | - | | 8722 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SST08 | Un 220b | - | 1655-SST08B-800CW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 40 Ma | Estándar | 800 V | 8 A | 1.5 V | 80A @ 50Hz | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SST16B-600CW | - | | 9060 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | SST16 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SST16 | Un 220b | - | 1655-SST16B-600CW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 40 Ma | Estándar | 800 V | 16 A | 1.3 V | 160A @ 50Hz | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SST16C-800CW | - | | 8989 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | SST16 | - | 1655-SST16C-800CW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S2M0080120K | 15.3500 | | 260 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 41a (TC) | 20V | 100mohm @ 20a, 20V | 4V @ 10mA | 54 NC @ 20 V | +25V, -10V | 1324 pf @ 1000 V | - | 231W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| 1SS388 | 0.2100 | | 214 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SS3 | Estándar | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 600 MV @ 50 Ma | 5 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 100mA | 25pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DF04 | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF07 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF07 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DF06 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF06 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DF01 | 0.4300 | | 4 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF01 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 50 V | 1 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DF03 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF03 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | B5819WS | 0.2900 | | 176 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | B5819 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 45,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 120pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DSS215U | 0.3200 | | 5637 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 920 MV @ 2 A | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HBS810 | 0.6900 | | 3 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | HBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 1000 V | 8 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DSS210 | 0.4000 | | 4102 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Dss2 | Schottky | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S4D02120A | 1.8900 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | S4D0212 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC (un 220-2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S4D02120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 2 A | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 116pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | S3D06065F | 2.2100 | | 946 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | S3D06065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | ITO-220AC (TO20-2F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S3D06065F | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 8 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 382pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | S4D15120D | 7.4300 | | 295 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | S4D15120 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S4D15120D | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 8A | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 15 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
| S4D08120A | 4.0800 | | 284 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | S4D0812 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC (un 220-2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S4D08120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 15 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 560pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | S4d05120g | 2.7300 | | 1676 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | S4D0512 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 302pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| S4D15120A | 7.0100 | | 278 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | S4D1512 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC (un 220-2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S4D15120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 15 A | 0 ns | 35 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | 1200pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | S4D10120E | 6.0800 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | S4D1012 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 772pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| S4D08120E | 3.9300 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | S4D0812 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 15 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 560pf @ 0V, 1MHz |
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