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Productos de semiconductoros discretos (2437)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S4D40120D | 17.8200 |  | 487 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | S4D40120 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-S4D40120D | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 20A | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
 | S4D05120E | 2.8800 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | S4D0512 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 302pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | 10sq050 | 0.7800 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | R-6, axial | 10sq | Schottky | R-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 550 MV @ 10 A | 1 ma @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||
| S3D30065D | 8.1800 | | 295 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | S3D30065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-S3D30065D | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 15A | 1.7 V @ 15 A | 25 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
 | 406cmq200r | 38.4400 | | 7 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | PRM4 AISLADO | 406cmq | Schottky | PRM4 (AISLADO) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-406CMQ200R | EAR99 | 8541.10.0080 | 9 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 200a | 990 MV @ 200 A | 10 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
 | SK2U200-400 | 24.3500 | | 32 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | SK2S200 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-SK2U200-400 | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 120A (DC) | 1.15 V @ 100 A | 150 ns | 50 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
 | 113CNQ100 | 15.8300 | | 22 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Caja | Activo | Monte del Chasis | PRM2 | 113cnq | Schottky | PRM2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1655-113CNQ100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 48 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 55a | 810 MV @ 55 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
 | S125U | - | | 9686 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S125 | Schottky | SMAF | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 250 V | 920 MV @ 1 A | 50 µA @ 250 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | Std860 | - | | 5052 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Dpak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 8 A | 1.12 Ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||
 | S3D08065L | 3.0300 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-vsfn almohadillas | S3D08065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | 5-DFN (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24A | 650pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
 | MBR60200WT | 2.0600 | | 159 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR60200 | Schottky | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-MBR60200WT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 30A | 900 MV @ 30 A | 50 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
| S3D50065D1 | 11.7300 | | 273 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | S3D50065 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1655-S3D50065D1 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 50 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 112a | 3100pf @ 0V, 100MHz | |||||||||||||||||||||
 | B5819WS | 0.2900 | | 176 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | B5819 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 45,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 120pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
| S2M0080120K | 15.3500 | | 260 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 41a (TC) | 20V | 100mohm @ 20a, 20V | 4V @ 10mA | 54 NC @ 20 V | +25V, -10V | 1324 pf @ 1000 V | - | 231W (TC) | |||||||||||||||||||
| 1SS388 | 0.2100 | | 214 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SS3 | Estándar | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 600 MV @ 50 Ma | 5 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 100mA | 25pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
| DF04 | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||||||||||||||
| DF07 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF07 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||
| DF06 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF06 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||||||||||
| DF01 | 0.4300 | | 4 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF01 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 50 V | 1 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
| DF03 | 0.4300 | | 2 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-M | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-DF03 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||||||
 | SS22AF | 0.3100 | | 120 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SS22 | Schottky | SMAF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | -1765-SS22AFCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 2 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5263B | 0.1300 | | 179 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5263 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| SK156 | 0.5500 | | 29 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | SK15 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDUR15U120 | 1.0300 | | 8 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sdur15 | Estándar | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.2 V @ 15 A | 75 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||
| SS26AF | 0.2800 | | 120 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SS26 | Schottky | SMAF | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 28pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Mb6str | 0.0300 | | 3 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | Estándar | MBS | - | 5009-MB6STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 500 Ma | 5 µA @ 600 V | 500 mA | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||
| STB10100TR | 0.4400 | | 1 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Schottky | D2pak | - | 5009-STB10100TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 750 MV @ 10 A | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 462pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5234B | 0.1300 | | 12 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5234 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 45,000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| SST08C-800B | - | | 5247 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | SST08 | - | 1655-SST08C-800B | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST16C-800BW | - | | 6100 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | SST16 | - | 1655-SST16C-800BW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 |
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