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Productos de semiconductoros discretos (2437)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DB152 | 0.1098 |  | 7941 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | DB152 | Estándar | DB-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | 1.5 A | Fase única | 100 V | |
| DB156 | 0.1098 | | 9397 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | DB156 | Estándar | DB-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 800 V | 1.5 A | Fase única | 800 V | |
 | FTB4F-15F | - | | 1319 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FTB4F-15 | Estándar | Abf | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.3 V @ 1.5 A | 5 µA @ 400 V | 1.5 A | Fase única | 400 V | ||
 | KBP201G | 0.1531 | | 4794 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | KBP201 | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | |
 | GBU4005 | 0.2949 | | 5727 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU4005 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 A | Fase única | 50 V | |
| GBU401 | 0.2949 | | 7992 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU401 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | |
| GBU404 | 0.2920 | | 7502 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU404 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | |
| Gbu401g | 0.3083 | | 2286 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU401 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | |
| Gbu402g | 0.3175 | | 3356 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU402 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | |
| GBU601 | 0.3403 | | 6290 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU601 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | |
| GBU608 | 0.3305 | | 7592 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU608 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | |
| Gbu801g | 0.4084 | | 7044 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU801 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 100 V | 8 A | Fase única | 100 V | |
| Gbu804g | 0.4084 | | 7227 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU804 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | |
| GBU1508 | 0.4678 | | 2132 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU1508 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |
| GBU10005 | 0.4084 | | 8316 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU10005 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 50 V | 10 A | Fase única | 50 V | |
| GBU1008 | 0.4084 | | 8093 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBU1008 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | |
 | UG2KB10 | 0.1625 | | 3573 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG2KB10 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | |
| UG2KB20 | 0.1625 | | 3818 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG2KB20 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | |
| UG3KB05G | 0.1823 | | 7373 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG3KB05 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 50 V | 3 A | Fase única | 50 V | |
| UG6KB10 | 0.2557 | | 5432 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG6KB10 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | |
| UG6KB20 | 0.2532 | | 7106 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG6KB20 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | |
| UG6KB80 | 0.2532 | | 9421 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | UG6KB80 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | |
 | GBJ604 | 0.5760 | | 1362 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ604 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 400 V | 6 A | Fase única | 400 V | |
| GBJ1001 | 0.7041 | | 7606 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ1001 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 100 V | 10 A | Fase única | 100 V | |
| GBJ1008 | 0.6973 | | 3892 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ1008 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | |
| GBJ1501 | 0.7797 | | 6513 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ1501 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 100 V | 15 A | Fase única | 100 V | |
| GBJ1508 | 0.7873 | | 6854 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ1508 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |
| GBJ2001 | 0.8240 | | 1041 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ2001 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 5 µA @ 100 V | 20 A | Fase única | 100 V | |
| GBJ2002 | 0.8320 | | 8422 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ2002 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 5 µA @ 200 V | 20 A | Fase única | 200 V | |
| GBJ2004 | 0.8320 | | 8616 | 0.00000000 | Soluciones de Diodo SMC | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | GBJ2004 | Estándar | GBJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 5 µA @ 400 V | 20 A | Fase única | 400 V |
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