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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | TUPO de Controlador |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JM38510/23104BFA | 34.6600 | ![]() | 351 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DP8421AV-25 | 21.7900 | ![]() | 926 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (25.13x25.13) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8542.31.0001 | 18 | Ram Dinámico (DRAM) | ||||||||||||
![]() | DP8429TD-70 | 86.6600 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | DP8429 | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Ventana 52-CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | 4.5V ~ 5.5V | 52-CDIP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dinámico (DRAM) | ||||||||||
![]() | Nmc2148hj-2 | 8.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 18-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 18-CDIP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4 kbits | 45 ns | Sram | 1k x 4 | Paralelo | - | |||
![]() | 93Z451FMQB | 13.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 24-CFLATPACK | - | 4.75V ~ 5.25V | 24-CFLATPACK | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8 kbits | 55 ns | Paseo | 1k x 8 | Paralelo | - | |||
![]() | NM27C010N200 | - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | NM27C010 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32 salsa | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 1 mbit | 200 ns | EPROM | 128k x 8 | Paralelo | - | ||
![]() | DP8429VX-70 | 61.6600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (25.13x25.13) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dinámico (DRAM) | ||||||||||
![]() | DP8421ATVX-25 | 27.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (25.13x25.13) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8542.31.0001 | 250 | Ram Dinámico (DRAM) |
Volumen de RFQ promedio diario
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