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Memoria (5712)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LD32128A-18BPL | - |  | 8547 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-vfbga | IS43LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43LD32128A-18BPL | Obsoleto | 1 | 533 MHz | Volante | 4 gbit | 5.5 ns | Dracma | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
| IS43LD16256C-25BPLI | - | | 8675 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-vfbga | IS43LD16256 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43LD16256C-25BPLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | 5.5 ns | Dracma | 256m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
 | IS25LQ025b-jule | - | | 5346 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | IS25LQ025 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LQ025B-JULETR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | No Volátil | 256 kbit | 8 ns | Destello | 32k x 8 | SPI - Quad I/O | 800 µs | |
 | IS25LQ020B-JVLE | - | | 3178 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IS25LQ020 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-VVSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LQ020B-JVLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 8 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 800 µs | |
 | IS21TF16G-JQLI | 33.9200 | | 8464 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | IS21TF16G | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21TF16G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||
| IS21TF32G-JQLI-TR | 36.0000 | | 7751 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | IS21TF32G | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21TF32G-Jqli-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||
| IS21TF08G-JQLI | 19.6800 | | 471 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 100 lbGa | IS21TF08G | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21TF08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||
 | IS49RL36160A-093EBLI | 96.8700 | | 119 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | IS49RL36160 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL36160A-093EBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 7.5 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | |
 | IS66WVS1M8BLL-104NLI | 2.8500 | | 335 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IS66WVS1M8 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS66WVS1M8BLL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | Volante | 8mbit | 7 ns | Psram | 1m x 8 | SPI, QPI | - | |
 | IS43LQ16256A-062TBLI | 18.4400 | | 110 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | IS43LQ16256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43LQ16256A-062TBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | ||
| IS25LP512MG-RHLI | - | | 8729 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LP512 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP512MG-RHLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 2 ms | |
| IS25WX128-JHLA3 | 3.9240 | | 7577 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25WX128 | Destello | 1.7v ~ 2v | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WX128-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25LX512M-JHA3-TR | - | | 1490 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LX512M | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LX512M-JHA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25WX256-JHLA3 | 4.6211 | | 1739 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25WX256 | Destello | 1.7v ~ 2v | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WX256-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
 | IS25LP512MG-RMLE-TY | 6.9200 | | 259 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | IS25LP512 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP512MG-RMLE-TY | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |
| IS43LD32128B-25BLI-TR | 10.6400 | | 9035 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD32128B-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | 5.5 ns | Dracma | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
| IS43LQ32128Al-062BLI | - | | 5701 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32128Al-062BLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Lvstl | - | ||||||
| IS22TF128G-JCLA1-TR | 73.8150 | | 5808 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF128G-JCLA1-TR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| IS22TF16G-JQLA1 | 27.0504 | | 6494 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF16G-JQLA1 | 98 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| IS25LP01G-RILE | 11.0326 | | 5155 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24 lbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-LFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP01G-RILE | 480 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 8 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||||
| IS25LP032D-JBLA3-TR | 1.1438 | | 7180 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP032D-JBLA3-TR | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS25LP064D-RMLE-TR | 1.3716 | | 3607 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP064D-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||||
| IS25LP064D-JKLE | 1.3549 | | 4254 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP064D-JKLE | 570 | 166 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||||
| IS25LP128F-RMLA3-TR | 2.4941 | | 7046 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP128F-RMLA3-TR | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6.5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS25LP256D-JLLA3 | 4.0905 | | 6719 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP256D-JLLA3 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6.5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS25LP256E-JLLA3 | 4.5672 | | 1051 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP256E-JLLA3 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6.5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||||
| IS25LP256E-RHLA3 | 4.2135 | | 7477 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP256E-RHLA3 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6.5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||||
| IS25LP256H-RMLE-TR | 3.5165 | | 6157 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP256H-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | ||||||
| IS49NLC18160A-18WBL | 30.4983 | | 8997 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC18160A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 16m x 18 | Hstl | - | |||
| IS46LQ16128Al-062TBLA1 | 10.6342 | | 7913 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128Al-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns |
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