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Memoria (5712)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43DR82560C-3DBL-TR | 6.3808 |  | 3776 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43DR82560C-3DBL-TR | 2,000 | 333 MHz | Volante | 2 GBIT | 450 ps | Dracma | 256m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |||||
| IS43LD16128C-25BLI | - | | 4534 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD16128C-25BLI | 171 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||||
| IS43LD16128C-25BLI-TR | - | | 6441 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD16128C-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||||
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| IS43LD32640C-25BLI | - | | 5824 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD32640C-25BLI | 171 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
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| IS43LQ16128Al-062BLI | - | | 2173 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16128Al-062BLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | |||||
| IS43LQ16256A-062BLI-TR | - | | 2665 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16256A-062BLI-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | ||||||
| IS43LQ32256Al-062BLI | 21.8535 | | 6801 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32256Al-062BLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Lvstl | 18ns | |||||
| IS49NLC18160A-25EWBL | 29.0237 | | 5461 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC18160A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 16m x 18 | Hstl | - | |||
| IS61WV51216EEALL-20TLI | 7.4957 | | 7133 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV51216EEALL-20TLI | 135 | Volante | 8mbit | 20 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||||
| IS29GL256-70SLEB-TR | 5.2027 | | 4073 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 3V ~ 3.6V | 56-tsop I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS29GL256-70SLEB-TR | 800 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8 | CFI | 70ns, 200 µs | ||||||
| IS29GL256-70DLET-TR | 4.8235 | | 4919 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | Flash - Nor (SLC) | 3V ~ 3.6V | 64-LFBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS29GL256-70DLET-TR | 2.500 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8 | CFI | 70ns, 200 µs | ||||||
| IS43LQ16256Al-062BLI-TR | - | | 9671 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16256Al-062BLI-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | ||||||
| IS43LQ32640A-062TBLI-TR | 9.2036 | | 2418 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32640A-062TBLI-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | |||||
| IS43LQ32640Al-062BLI | - | | 9199 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32640Al-062BLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | |||||
| IS43LQ32640Al-062TBLI | 10.4241 | | 9537 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32640Al-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | |||||
 | IS46LD32640B-25BLA2-TR | - | | 5061 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46LD32640B-25BLA2-TR | 1 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
| IS25WX512M-JHE-TR | 7.5600 | | 2425 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25WX512M | Destello | 1.7v ~ 2v | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WX512M-JHE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25LX256-JHLA3 | 4.5578 | | 7912 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LX256 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LX256-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
 | IS25LX256-JHLE | 5.4500 | | 8572 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LX256 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LX256-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25LX064-JHLA3-TR | 2.2957 | | 5169 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LX064 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LX064-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25LX512M-JHLE | 7.3874 | | 6281 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LX512M | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LX512M-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
 | IS21ES08GA-JCLI-TR | 17.4700 | | 721 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | IS21ES08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | EMMC | - | ||||
 | IS61NLF102436B-6.5TQLI | 81.3214 | | 9727 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61NLF102436 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 36 mbit | 6.5 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | ||
| IS46TR16256B-107MBLA1-TR | 8.0897 | | 1850 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16256B-107MBLA1-TR | 1.500 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | IS42VM16160E-6BLI-TR | - | | 5681 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS42VM16160 | Sdram - móvil | 1.7V ~ 1.95V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | - | ||
 | IS42S16160B-7BLI-TR | - | | 6328 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-lfbga | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-LFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | - | ||
 | IS46R16160F-6BLA1 | 5.2943 | | 1772 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns |
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