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Memoria (5712)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25LQ025b-jule | - |  | 5346 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | IS25LQ025 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LQ025B-JULETR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | No Volátil | 256 kbit | 8 ns | Destello | 32k x 8 | SPI - Quad I/O | 800 µs | |
 | IS25LQ020B-JVLE | - | | 3178 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IS25LQ020 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-VVSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LQ020B-JVLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 8 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 800 µs | |
 | IS21TF16G-JQLI | 33.9200 | | 8464 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | IS21TF16G | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21TF16G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||
| IS21TF32G-JQLI-TR | 36.0000 | | 7751 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | IS21TF32G | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21TF32G-Jqli-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||
| IS21TF08G-JQLI | 19.6800 | | 471 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 100 lbGa | IS21TF08G | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS21TF08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||
 | IS25LP512MG-RHLI | - | | 8729 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LP512 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP512MG-RHLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 2 ms | |
 | IS49RL36160A-093EBLI | 96.8700 | | 119 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | IS49RL36160 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL36160A-093EBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 7.5 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | |
| IS66WVS1M8BLL-104NLI | 2.8500 | | 335 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IS66WVS1M8 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS66WVS1M8BLL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | Volante | 8mbit | 7 ns | Psram | 1m x 8 | SPI, QPI | - | |
 | IS43LQ16256A-062TBLI | 18.4400 | | 110 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | IS43LQ16256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43LQ16256A-062TBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | ||
 | IS25LP016D-JMLE-TY | 0.9124 | | 8046 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP016D-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 7 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS25LP064D-RMLE-TY | 1.4742 | | 3319 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP064D-RMLE-TY | 176 | 166 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS25LP256D-RMLE-TY | 4.1076 | | 9943 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP256D-RMLE-TY | 176 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS25WP256E-RMLE | - | | 8633 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WP256E-RMLE | Obsoleto | 1 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | ||||
| IS25LP512M-RMLA3 | - | | 9599 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP512M-RMLA3 | Obsoleto | 1 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | 7 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||
| IS37SML01G1-MLI-TY | 3.7073 | | 4809 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS37SML01G1-MLI-TY | 176 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 8 ns | Destello | 128m x 8 | SPI | - | ||||
| IS25WX128-JHLA3 | 3.9240 | | 7577 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25WX128 | Destello | 1.7v ~ 2v | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WX128-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25LX512M-JHA3-TR | - | | 1490 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LX512M | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LX512M-JHA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25WX256-JHLA3 | 4.6211 | | 1739 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25WX256 | Destello | 1.7v ~ 2v | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25WX256-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - E/S Octal | - | ||
| IS25LP512MG-RMLE-TY | 6.9200 | | 259 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | IS25LP512 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP512MG-RMLE-TY | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |
| IS49RL18320A-107EBL | 64.5000 | | 8096 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL18320A-107EBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Volante | 576Mbit | 7.5 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
| IS49RL36160-125FBL | - | | 1647 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL36160-125FBL | Obsoleto | 1 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | |||
| IS49RL36160-125FBLI | - | | 3312 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL36160-125FBLI | Obsoleto | 1 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | |||
| IS49RL18320-125FBLI | - | | 6967 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL18320-125FBLI | Obsoleto | 1 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | |||
 | IS43LD16128C-18BLI-TR | 9.8250 | | 4995 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43LD16128C-18BLI-TR | 2,000 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||||
| IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 2.1457 | | 2540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 3.000 | 104 MHz | Volante | 16mbit | 7 ns | Psram | 2m x 8 | SPI, QPI | - | |||||
| IS25LP512MG-JLLE-TR | 4.2584 | | 9923 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP512MG-JLLE-TR | 4.000 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 4ms | |||||
| IS46TR16128C-125KBLA25 | 7.0633 | | 4324 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16128C-125KBLA25 | 190 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
| IS46LQ16128Al-062TBLA2 | 11.6916 | | 6895 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128Al-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | |||||
| IS25LP032D-JTLA3-TR | 1.1525 | | 8519 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-Uson (4x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP032D-JTLA3-TR | 5,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS61WV6416EEBLL-8TLI | 2.3255 | | 6337 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI | 135 | Volante | 1 mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 8ns |
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