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Memoria (5712)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43DR81280C-3DBLI-TR | 5.1914 |  | 3636 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | IS49NLC18320A-25EWBL | 49.5275 | | 3618 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC18320A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 15 ns | Dracma | 32m x 18 | Hstl | - | ||||
 | IS61VPS51236B-200TQLI | 17.2425 | | 5263 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61VPS51236 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||
 | IS61LV2568L-8TL | - | | 6782 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS61LV2568 | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 2 mbit | 8 ns | Sram | 256k x 8 | Paralelo | 8ns | |||
| IS61NVP102418-200TQLI-TR | - | | 9097 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61NVP102418 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3.1 NS | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
| IS43TR85120B-125KBL-TR | 5.4437 | | 5184 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR85120B-125KBL-TR | 2,000 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | |||||
| IS61C5128Al-10tli-TR | 3.3088 | | 8114 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS61C5128 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 10ns | |||
 | IS25LP064A-JMLE | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | IS25LP064 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1586 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 800 µs | ||
| IS43LD32640C-25BLI-TR | - | | 9275 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD32640C-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
 | IS43R86400F-6BLI | 6.3460 | | 1874 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | IS42S16100F-7BLI | - | | 6205 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | Volante | 16mbit | 5.5 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - | ||
| IS25LP032D-JMLE-TR | 1.0673 | | 1623 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | IS25LP032 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
 | IS43LR32100C-6BLI-TR | - | | 6438 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS43LR32100 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 32Mbit | 5.5 ns | Dracma | 1m x 32 | Paralelo | 12ns | ||
| IS64LF25636B-7.5TQLA3 | 20.2860 | | 9697 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS64LF25636B-7.5TQLA3 | 72 | 117 MHz | Volante | 9 MBIT | 7.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||||
 | IS25WP016D-JLLE-TR | 0.8389 | | 3639 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25WP016 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
 | IS42S32200E-7TL | - | | 1585 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | ||
| IS46TR16256ECL-125LB2LA2 | - | | 6142 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | - | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA2 | 136 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | IS25WQ040-JKLE | - | | 2951 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25WQ040 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 1 m | |||
| IS43QR81024A-075VBLI | 20.0067 | | 4622 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43QR81024A-075VBLI | 136 | 1.333 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | |||||
 | IS43TR81280CL-125JBLI | 3.8222 | | 3150 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43TR81280CL-125JBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |
 | IS29GL256-70 Slet | 7.9700 | | 478 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | IS29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Sleta 706-IS29GL256-70 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8 | Paralelo | 200 µs | ||
| IS42S32160F-7TLI-TR | 12.0000 | | 9351 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 143 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | ||
| IS62WV1288FBLL-45QLI-TR | 1.8501 | | 4376 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) | IS62WV1288 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 32-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 45 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
| IS46TR81280C-125JBLA25 | - | | 6275 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46TR81280C-125JBLA25 | EAR99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |
| IS25LE256E-RMLE | - | | 1817 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LE256E-RMLE | Obsoleto | 1 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 2 ms | ||||
 | IS66WV1M16EBLL-55BLI | 3.3934 | | 2485 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | Psram (pseudo sram) | 2.5V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 16mbit | 55 ns | Psram | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | |||
| IS25WP064A-JLLE | 2.0400 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25WP064 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
 | IS46TR16128D-125KBLA2-TR | 5.4312 | | 2641 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46TR16128D-125KBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| IS42S32200E-7BL-TR | - | | 4130 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | ||
 | IS42S81600D-7TL | - | | 9643 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S81600 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | - |
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