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Memoria (5712)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS22TF16G-JCLA2-TR | 26.3340 |  | 5757 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF16G-JCLA2-TR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||
| IS22TF32G-JQLA1 | 37.7610 | | 9199 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF32G-JQLA1 | 98 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||
| IS22TF32G-JCLA1-TR | 35.7770 | | 1140 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF32G-JCLA1-TR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||
| IS25LP016D-JNLA3-TR | 0.8877 | | 9958 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP016D-JNLA3-TR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 7 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||
| IS25LP256E-RMLE-TR | 3.6559 | | 9412 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP256E-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | ||||
| IS25LP512M-RHLA3 | 7.8261 | | 5515 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP512M-RHLA3 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | 7 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||
| IS62WV6416FBLL-45BLI-TR | 1.5491 | | 1359 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS62WV6416FBLL-45BLI-TR | 2.500 | Volante | 1 mbit | 45 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
| IS49NLS93200A-25EWBL | 29.0237 | | 7097 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLS93200A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 32m x 9 | Hstl | - | |
| IS25LP512MH-JLLE-TR | 6.0382 | | 8596 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP512MH-JLLE-TR | 4.000 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | ||||
| IS46LQ16256A-062BLA1 | - | | 3518 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16256A-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | ||||
| IS46LQ16256A-062BLA2-TR | - | | 4001 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16256A-062BLA2-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | ||||
| IS43R86400F-6TL | 3.3825 | | 5058 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43R86400F-6TL | 108 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | SSTL_2 | 15ns | |||
| IS46LQ32640Al-062TBLA2-TR | - | | 5805 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32640Al-062TBLA2-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | |||
| IS49NLC18160A-25WBL | 27.7833 | | 4109 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC18160A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 18 | Hstl | - | |
| IS43LR16640C-6BL-TR | 6.7805 | | 8290 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16640C-6BL-TR | 2,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS61WV102416Edall-10tli | - | | 2383 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV102416Edall-10tli | 96 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
| IS34ML02G081-TLI-TR | 4.3745 | | 3170 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS34ML02G081-TLI-TR | 1.500 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
| IS34ML02G081-TLI | 4.8915 | | 8375 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS34ML02G081-TLI | 96 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
| IS43DR16640C-3DBL-TR | 2.8354 | | 4956 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43DR16640C-3DBL-TR | 2.500 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | |||
| IS43DR81280C-25DBL-TR | 3.0653 | | 2086 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43DR81280C-25DBL-TR | 2,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |||
| IS43LQ16128A-062TBLI-TR | 8.6583 | | 8912 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16128A-062TBLI-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | |||
| IS43LD32800B-25BLI | 5.9261 | | 5156 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD32800B-25BLI | 171 | 400 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||
| IS43LR16128B-5BLI | 9.8204 | | 5191 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16128B-5BLI | 300 | 208 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS43LQ32640Al-062BLI-TR | - | | 9234 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32640Al-062BLI-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | |||
| IS46LQ32640A-062TBLA2-TR | - | | 4171 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32640A-062TBLA2-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | |||
| IS49NLS93200A-25WBL | 27.7833 | | 5531 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLS93200A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | Hstl | - | ||
| IS43LR16640C-5BLI | 7.9485 | | 5319 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16640C-5BLI | 300 | 208 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 14.4ns | |||
| IS25LP128F-RHLE | 2.1310 | | 4479 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP128F-RHLE | 480 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS61WV51216EEALL-20BLI-TR | 6.7253 | | 6335 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 48-minibga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV51216EEALL-20BLI-TR | 2.500 | Volante | 8mbit | 20 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
| IS49NLC18160A-18WBLI | 33.5439 | | 7170 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC18160A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 16m x 18 | Hstl | - |
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