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Memoria (3)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DS1270AB-70# | 157.3300 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Dallas | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-DS1270AB-70#-406 | 1 | ||||||||||||||||||
 | DS28DG02G-3C+ | - | | 2004 | 0.00000000 | Semiconductor de Dallas | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | DS28DG02 | Eeprom | 2.2V ~ 5.25V | 36-tqfn (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | SPI | - | ||||
 | DS1270AB-70#-DS | - | | 1554 | 0.00000000 | Semiconductor de Dallas | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 1 |
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