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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD9FS1G8F3AMGI | 2.7082 |  | 5884 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | - | 1970-gd9fs1g8f3amgi | 960 | |||||||||||||||||||||
| GD25LQ16ET2GR | 0.7499 | | 3196 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | - | 1970-GD25LQ16ET2GRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
 | GD25Q127CWIGR | 2.2300 | | 11 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | GD25Q127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 12 µs, 2.4 ms | |||
| GD25WQ64ENGR | 1.2544 | | 1709 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-GD25WQ64Engrtrtrtrtr | 3.000 | 84 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 12 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 240 µs, 8 ms | |||||||
| GD9FS8G8E2Amgi | 14.9396 | | 3046 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FS8G8E2Amgi | 960 | No Volátil | 8 gbit | 22 ns | Destello | 1g x 8 | Onde | 25ns | ||||||||
| Gd25q32esigr | 0.9400 | | 4 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | ||
| Gd5f2gm7ueyigy | 3.2825 | | 6646 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f2gm7ueyigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 7 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
 | Gd5f1gq4ufyigy | - | | 2993 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | GD5F1GQ4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | |||
| Gd25lq64enjgr | 1.0811 | | 2294 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25lq64enjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25Q20AGRAGR | 0.5656 | | 4992 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25Q20Agrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 7 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25le16eigr | 0.5678 | | 4022 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-gd25le16eigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25q64ewegrin | 1.1653 | | 9016 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25q64ewegrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25T512Mey2GR | 8.1203 | | 4811 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25t | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd25t512mey2grtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| Gd55lt512webiry | 5.4414 | | 5146 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd55lt512webiry | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1.2 ms | ||||||||
| GD25F256FB2RY | 3.4593 | | 6033 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25F256FB2RY | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| Gd25q80etigrig | 0.5500 | | 16 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | ||
| GD25LT512Mefirr | 5.6176 | | 8836 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-gd25lt512mefirrtr | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25B32Esagr | 1.0363 | | 6446 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-gd25b32esagrtr | 2,000 | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
| Gd25wd10ckigr | 0.3167 | | 2603 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25wd10ckigrtr | 3.000 | 100 MHz | No Volátil | 1 mbit | 12 ns | Destello | 128k x 8 | SPI - Dual I/O | 55 µs, 6 ms | |||||||
| GD25Q40AGR | 0.6261 | | 7402 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25Q40Agrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 7 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25B16CS2GR | 0.7772 | | 3277 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25B16CS2GRTR | 2,000 | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
| GD25LQ128EQEGN | 1.8538 | | 3854 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25LQ128EQEGRTRTRTR | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 100 µs, 4ms | |||||||
| GD25LQ32ENAGR | 1.2776 | | 5397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | - | 1970-GD25LQ32Enagrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| Gd25q20etigr | 0.4500 | | 4655 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 7 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | |||||
| GD25F128SIGY | 1.1934 | | 7509 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | - | 1970-gd25f128esigy | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| Gd25ld05ckigr | 0.2865 | | 1092 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25ld05ckigrtr | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 512 kbit | 12 ns | Destello | 64k x 8 | SPI - Dual I/O | 55 µs, 6 ms | |||||||
| Gd5f2gm7rewigy | 3.5981 | | 5088 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f2gm7rewigy | 5.700 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 9 ns | Destello | 512m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd25b64ewigy | 0.8247 | | 7928 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25b64ewigy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25lq16esigr | 0.8200 | | 8095 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
 | GD25Q127CBIGY | - | | 2814 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | GD25Q127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 12 µs, 2.4 ms |
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