SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25wd05ctig -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25WD05 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 100 MHz No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0.7100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25Q40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 80 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q16ctigr 0.8200
RFQ
ECAD 140 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gq4rf9igr -
RFQ
ECAD 8267 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vlga GD5F1GQ4 Flash - nand 1.7v ~ 2v 8-LGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI - Quad I/O 700 µs
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
RFQ
ECAD 9569 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 9,500 120 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q16CTJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTJGR -
RFQ
ECAD 1159 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q64CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64cyigr 1.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25WD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80 CEIGR 0.7100
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25WD80 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O -
GD55LT512WEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd55lt512wefirr 5.9249
RFQ
ECAD 5798 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd55lt Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - 1970-gd55lt512wefirrtr 1,000 166 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 µs, 1.2 ms
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gq4ucyigr -
RFQ
ECAD 4519 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD5F4GQ4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 SPI - Quad I/O
GD25LQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CEIGR -
RFQ
ECAD 6319 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25LQ40 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIGR -
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25VE40 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q32CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q32ctig 0.5149
RFQ
ECAD 9200 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q32 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q64CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJG -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q127CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJGR -
RFQ
ECAD 4258 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q127 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 12 µs, 2.4 ms
GD25VQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25vq16ctigr -
RFQ
ECAD 5684 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25VQ16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 3 ms
GD25WD20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CTIG -
RFQ
ECAD 4305 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25WD20 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CEIGR 0.2404
RFQ
ECAD 3862 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25D05 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 100 MHz No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 SPI - Dual I/O 50 µs, 4ms
GD25Q40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q40ctigr 0.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q32ctigr 1.0100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q32 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq80ceigr -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25LQ80 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq32dligr 0.9136
RFQ
ECAD 4028 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 10-xfbga, WLCSP GD25LQ32 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 10-WLCSP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD25Q64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64ewigr 1.3900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 7 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2.4 ms
GD25Q16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EIGR 0.8200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 7 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2 ms
GD25Q128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q128esigr 1.9300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit 7 ns Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2.4 ms
GD25LQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq64esigr 1.3200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25LQ64 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 7 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 60 µs, 2.4 ms
GD25LQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq16etigr 0.8200
RFQ
ECAD 3644 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 6 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25Q20ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q20esigr 0.4500
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 2,000 133 MHz No Volátil 2 mbit 7 ns Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2 ms
GD25WQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32SIGR 1.1100
RFQ
ECAD 8604 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 2,000 104 MHz No Volátil 32Mbit 8 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 120 µs, 4 ms
GD25LQ64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq64ewigr 1.4800
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 60 µs, 2.4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock