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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LQ128SAGRAGRAGR | 2.3653 |  | 9810 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-GD25LQ128DSAGRtr | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 4ms | |
| Gd25b128ewigy | 1.2342 | | 2947 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25b128ewigy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |
| Gd55x02gebiry | 25.9350 | | 2372 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55X | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd55x02gebiry | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI - E/S Octal, DTR | - | ||
| GD25Q40CT2GR | 0.4949 | | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25Q40CT2GRTR | 3.000 | 80 MHz | No Volátil | 4mbit | 7 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 4ms | |
| GD25Q256Efiry | 2.3472 | | 2565 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | 1970-GD25Q256Efiry | 1.760 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||
| Gd25lb256eligrán | 2.6281 | | 7016 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 32-WLCSP | descascar | 1970-GD25LB256Eligrtr | 3.000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 1.2 ms | |
| GD25LQ40AGR | 0.6929 | | 8244 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25LQ40Agrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 100 µs, 4ms | |
| Gd5f1gq5reyigy | 2.3962 | | 1854 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f1gq5reyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 9.5 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | |
| GD25LF128EQEGREG | 1.9209 | | 2689 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-gd25lf128eqegrtr | 3.000 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||
| GD25F256FW2GY | 3.6402 | | 3845 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | - | 1970-GD25F256FW2GY | 5.700 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||
| GD25WQ32Eligring | 0.7862 | | 2187 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-WLCSP | - | 1970-GD25WQ32Eligrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | 8 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |
| Gd5f2gm7reyigy | 3.6575 | | 6597 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f2gm7reyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 9 ns | Destello | 512m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |
| GD25LQ128Eyigy | 1.2999 | | 6703 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25LQ128Eyigy | 4.800 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |
| GD25LQ128EQEGN | 1.8538 | | 3854 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25LQ128EQEGRTRTRTR | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 100 µs, 4ms | |
| Gd25lq20esigr | 0.3167 | | 4317 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lq20esigrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |
| GD9FS4G8F2Amgi | 6.9852 | | 1155 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FS4G8F2Amgi | 960 | No Volátil | 4 gbit | 22 ns | Destello | 512m x 8 | Onde | 25ns | ||
| GD9FS4G8F3AMGI | 6.9852 | | 8654 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | descascar | 1970-gd9fs4g8f3amgi | 960 | No Volátil | 4 gbit | 22 ns | Destello | 512m x 8 | Onde | 25ns | ||
| GD55F512MFWIGR | 4.3329 | | 5638 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 1970-gd55f512mfwigrtr | 3.000 | |||||||||||||||
| GD25Q128EyJGR | 1.4911 | | 7018 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25Q128EyJgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |
| GD25B16AGRAGR | 0.8845 | | 5550 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | - | 1970-gd25b16Agrtr | 3.000 | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| GD55T01Gey2GR | 16.7580 | | 7366 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55t | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd55t01gey2grtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||
| Gd25f128esigr | 1.1590 | | 6397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 1970-gd25f128esigrtr | 2,000 | |||||||||||||||
| GD25LQ256DWAGY | 4.2161 | | 5956 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-GD25LQ256DWAGY | 5.700 | 104 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 4ms | |
| Gd25lq255ebiry | 2.2364 | | 6673 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | 1970-gd25lq255ebiry | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||
| GD25LQ16ETJGR | 0.6115 | | 2224 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25lq16etjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |
| GD55LB01GEB2RY | 13.4000 | | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lb | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LB01GEB2RY | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 140 µs, 2 ms | |
| Gd25f256fbiry | 2.3163 | | 1615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd25f256fbiry | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||
| GD25WQ64Enigr | 0.8999 | | 8486 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-GD25WQ64Enigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 12 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |
| GD25WQ64E3IGR | 0.9547 | | 5510 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 14-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 14-WLCSP | descascar | 1970-GD25WQ64E3IGRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 12 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |
| GD55LB01 Gebario | 16.3989 | | 9185 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lb | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LB01 Gebario | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 140 µs, 2 ms |
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