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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25le64engr | 1.2636 |  | 5828 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25le64engrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| Gd25f256fwigr | 2.3373 | | 4694 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25f256fwigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| Gd25r128yigr | 1.6388 | | 3645 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25R128Eyigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25WD40COIGR | 0.3167 | | 9397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-TSOP | descascar | 1970-GD25WD40COIGRTR | 3.000 | 100 MHz | No Volátil | 4mbit | 12 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||||||
| GD25F128FWIGR | 1.3702 | | 9867 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25f128fwigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25Q80ES2GR | 0.5090 | | 5610 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25Q80ES2GRTR | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25wd40ckigr | 0.3640 | | 5690 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-GD25WD40CKIGRTR | 3.000 | 100 MHz | No Volátil | 4mbit | 12 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||||||
| GD55LE511Mewigr | 4.3329 | | 6027 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 1970-gd55le511mewigrtr | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| GD25R256Efirr | 2.8829 | | 4734 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 1970-GD25R256Efirrtr | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| Gd25d20etigrig | 0.2257 | | 1882 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25d20etigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | |||||||
| GD25Q16EQIGR | 0.5678 | | 2315 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25Q16EQIGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 7 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | |||||||
| GD25F128SIGY | 1.1934 | | 7509 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | - | 1970-gd25f128esigy | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| Gd25ld05ckigr | 0.2865 | | 1092 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25ld05ckigrtr | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 512 kbit | 12 ns | Destello | 64k x 8 | SPI - Dual I/O | 55 µs, 6 ms | |||||||
| Gd25q20etigr | 0.4500 | | 4655 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 7 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | |||||
 | GD25Q80ctig | 0.3045 | | 6659 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 120 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd55lf511Mewigr | 4.3329 | | 5111 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 1970-gd55lf511Mewigrtr | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| GD25F256FYAGR | 4.2182 | | 5862 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25F256FYAGRTR | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD9FU4G8F2Algi | 6.7226 | | 1834 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | descascar | 1970-GD9FU4G8F2Algi | 2,100 | |||||||||||||||||||||
| Gd25le40etigrig | 0.3640 | | 7755 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25le40etigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25q64etjgr | 0.8705 | | 5697 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25q64etjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LH32Enigr | 0.7301 | | 2833 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 1970-GD25LH32Enigrtr | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| Gd25le16etigrig | 0.5242 | | 5143 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25le16etigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25B512Mey2GR | 6.5028 | | 1666 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd25b512mey2grtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD9FS8G8E3AlGJ | 17.9949 | | 2667 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | descascar | 1970-gd9fs8g8e3algj | 2,100 | |||||||||||||||||||||
| Gd25le32eligrán | 0.7582 | | 7661 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 10-xfbga, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 10-WLCSP | descascar | 1970-GD25LE32Eligrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25WQ128EWIGR | 1.4385 | | 7179 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-GD25WQ128EWIGRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 8 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25lt512meb2ry | 8.8046 | | 2037 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd25lt512meb2ry | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD5F1GQ5REY2GY | 3.7639 | | 1158 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD5F1GQ5REY2GY | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 9.5 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd25lb256eligrán | 2.6281 | | 7016 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 32-WLCSP | descascar | 1970-GD25LB256Eligrtr | 3.000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 1.2 ms | |||||||
| GD25LQ32EIGR | 0.7020 | | 8164 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LQ32EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms |
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