SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
GD25LX256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EB2RY 5.3333
RFQ
ECAD 1633 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lx Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LX256EB2RY 4.800 No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - E/S Octal, DTR -
GD25LH32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH32Enigr 0.7301
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo - 1970-GD25LH32Enigrtr 3.000
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25vq16ctig -
RFQ
ECAD 9944 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25VQ16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 3 ms
GD25Q64EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EYJGR 1.0249
RFQ
ECAD 8062 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar 1970-GD25Q64EyJgrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 7 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 140 µs, 4 ms
GD9FU4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F2Algi 6.7226
RFQ
ECAD 1834 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Activo descascar 1970-GD9FU4G8F2Algi 2,100
GD25Q127CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CBIGY -
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa GD25Q127 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.800 104 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 12 µs, 2.4 ms
GD25LX512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEB2RY 10.5735
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lx Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LX512MEB2RY 4.800 200 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - E/S Octal, DTR -
GD25D40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25d40ekigr 0.3318
RFQ
ECAD 4259 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25D Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-USON (1.5x1.5) descascar 1970-gd25d40ekigrtr 3.000 104 MHz No Volátil 4mbit 6 ns Destello 512k x 8 SPI - Dual I/O 50 µs, 4ms
GD25LQ64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq64eqigr 0.8986
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (4x4) descascar 1970-gd25lq64eqigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD5F4GQ6REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6RY2GY 10.6666
RFQ
ECAD 5405 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 1.7v ~ 2v 8-wson (6x8) - 1970-GD5F4GQ6RY2GY 4.800 80 MHz No Volátil 4 gbit 11 ns Destello 1g x 4 SPI - Quad I/O, DTR 600 µs
GD25Q80ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ES2GR 0.5090
RFQ
ECAD 5610 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-GD25Q80ES2GRTR 2,000 133 MHz No Volátil 8mbit 7 ns Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 140 µs, 4 ms
GD25LB512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lb512mebiry 4.6550
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) descascar 1970-GD25LB512Mebiry 4.800 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD5F2GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f2gq4ueyigy -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD5F2GQ4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.800 120 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 SPI - Quad I/O 700 µs
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55B Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55B02GEB2RY 4.800 133 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25LQ128DBAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq128dbagy 2.5210
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-gd25lq128dbagy 4.800 104 MHz No Volátil 128 Mbbit 6 ns Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 4ms
GD25Q64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CWIGR 1.4800
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LF32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lf32engr 0.9817
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lf Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (3x4) descascar 1970-gd25lf32engrtr 3.000 133 MHz No Volátil 32Mbit 5.5 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 100 µs, 4ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq20ctigr -
RFQ
ECAD 6107 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25LQ20 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25B256EFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25b256efigr 2.3755
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP descascar 1970-GD25B256Efigrtr 1,000 No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD55LB01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd55lb01gefirr 9.2951
RFQ
ECAD 9808 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd55lb Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP descascar 1970-GD55LB01Gefirrtrtrtrtr 1,000 166 MHz No Volátil 1 gbit 6 ns Destello 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 70 µs, 1.2 ms
GD5F4GQ4RCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gq4rcyigy -
RFQ
ECAD 1688 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD5F4GQ4 Flash - nand 1.7v ~ 2v 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.800 120 MHz No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 SPI - Quad I/O
GD25LD05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld05ckigr 0.2865
RFQ
ECAD 1092 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-USON (1.5x1.5) descascar 1970-gd25ld05ckigrtr 3.000 50 MHz No Volátil 512 kbit 12 ns Destello 64k x 8 SPI - Dual I/O 55 µs, 6 ms
GD25LR512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lr512meygr 5.0565
RFQ
ECAD 9628 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lr Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-gd25lr512meyigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld80ceigr 0.4033
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25LD80 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 50 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Dual I/O 60 µs, 6 ms
GD5F2GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f2gq5reyjgr 4.9238
RFQ
ECAD 1026 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 1.7v ~ 2v 8-wson (6x8) descascar 1970-gd5f2gq5reyjgrtr 3.000 80 MHz No Volátil 2 GBIT 11 ns Destello 256m x 8 SPI - Quad I/O 600 µs
GD25LE255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le255eligrán 2.4585
RFQ
ECAD 4956 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-USON (3x2) descascar 1970-GD25LE255Eligrtr 3.000 133 MHz No Volátil 256Mbit 6 ns Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25B256EFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25b256efiry 2.4461
RFQ
ECAD 9293 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP descascar 1970-gd25b256efiry 1.760 No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q128eqigr 1.2544
RFQ
ECAD 8834 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-Uson (4x4) descascar 1970-gd25q128eqigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit 7 ns Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2.4 ms
GD25F256FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FB2RY 3.4593
RFQ
ECAD 6033 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25F256FB2RY 4.800 200 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock