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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25b32ewigr | 0.7134 |  | 9009 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25b32ewigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25le16eigr | 0.5678 | | 4022 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-gd25le16eigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25lt512mebary | 10.1346 | | 4484 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd25lt512mebary | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| Gd25lf128eqigr | 1.4109 | | 5794 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-gd25lf128eqigrtr | 3.000 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| Gd25lq64ewagr | 1.6045 | | 6739 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25lq64ewagrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| Gd5f1gq5rewigy | 2.3917 | | 8991 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f1gq5rewigy | 5.700 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 9.5 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd25lb512meyjgr | 5.6243 | | 8663 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd25lb512meyjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| Gd25lr256ewigr | 2.8079 | | 7360 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25lr256ewigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 256Mbit | 9 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 1.2 ms | |||||||
| Gd25f64fwigr | 0.9688 | | 5581 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25f64fwigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| Gd55b01gebiry | 8.4011 | | 3284 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | 1970-gd55b01gebiry | 8542.32.0071 | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||||||
| Gd5f1gm7uewigy | 2.0685 | | 9754 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f1gm7uewigy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 7 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd25lq128ewigr | 2.3000 | | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | GD25LQ128 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | ||
| Gd5f2gq5ueyigy | 3.9235 | | 6089 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f2gq5ueyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 9 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O | 600 µs | |||||||
| Gd25b32enagr | 1.2215 | | 9839 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | - | 1970-gd25b32nagrtr | 3.000 | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
| Gd25q80etegr | 0.4525 | | 2591 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-GD25Q80ETEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25lr128yigr | 1.8135 | | 5749 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LR128Eyigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25F128FB2RY | 2.2364 | | 9481 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25F128FB2RY | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| Gd5f2gq5ueyihy | 3.9235 | | 4314 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd5f2gq5ueyihy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 9 ns | Destello | 512m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | |||||||
| GD25B256Efrir | 2.4461 | | 8258 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | 1970-gd25b256efirrtr | 1,000 | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
| Gd5f4gq6ueyigy | 6.6500 | | 4052 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f4gq6ueyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O | 600 µs | |||||||
| GD25LT256EY2GY | 4.7723 | | 2063 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LT256EY2GY | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 140 µs, 2 ms | |||||||
| GD55LE511Mewigy | 4.1663 | | 2768 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | - | 1970-gd55le511mewigy | 5.700 | |||||||||||||||||||||
| GD25LQ128DW2GR | 2.2408 | | 8751 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-GD25LQ128DW2GRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 2.4ms | |||||||
| Gd25lb512meygr | 4.6509 | | 1068 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd25lb512meyigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD55LT01GEB2RY | 16.0875 | | 1948 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LT01GEB2RY | 4.800 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||||||||
| Gd55lx01gefirr | 18.7900 | | 5406 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - E/S Octal, DTR | - | ||||||
| GD25WQ128EWIGY | 1.3445 | | 6874 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-GD25WQ128EWIGY | 5.700 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 8 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25ld40ekigr | 0.3619 | | 4375 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25ld40ekigrtr | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | 12 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||
 | Gd25q80ctigr | 0.6100 | | 30 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25q40etjgr | 0.3640 | | 9044 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25q40etjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 7 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms |
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