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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q16CTJG | - |  | 7744 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 120 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
 | Gd25le32esigr | 1.0600 | | 6350 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25le128esigr | 2.1600 | | 5205 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||
| GD25VQ80CSIGR | - | | 7575 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VQ80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| Gd5f2gm7uewigy | 3.5910 | | 4818 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f2gm7uewigy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 7 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd25b128yigr | 1.3198 | | 8685 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25B128Eyigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25ve20ctigrig | - | | 1445 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25VE20 | Flash - Ni | 2.1V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| GD25B32ES2GR | 0.8999 | | 7610 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25B32ES2GRTR | 2,000 | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
 | GD25Q127CFIG | 1.3303 | | 1874 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | GD25Q127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,640 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 12 µs, 2.4 ms | |||
| Gd5f4gm8ueyigr | 5.9488 | | 1163 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f4gm8ueyigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4 gbit | 7 ns | Destello | 1g x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd25q256yigr | 3.7500 | | 2 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | GD25Q256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1970-GD25Q256Eyigrtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | 7 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |
| GD25LQ32ETIGR | 1.0100 | | 6874 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25ld40ctigr | 0.3205 | | 1092 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25LD40 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||
| GD9FU1G8F2Algi | 2.4985 | | 8902 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-FBGA (9x11) | descascar | 1970-GD9FU1G8F2Algi | 2,100 | No Volátil | 1 gbit | 20 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||||||
| Gd25lq32dqigr | - | | 6828 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | GD25LQ32 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 2.4ms | |||
| Gd55lx01gebiry | 13.0553 | | 5265 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lx | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd55lx01gebiry | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - E/S Octal, DTR | - | ||||||||
| GD25VE40CSIGR | - | | 1356 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VE40 | Flash - Ni | 2.1V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Gd5f4gq6rf9igy | - | | 7119 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wlga | GD5F4GQ6 | Flash - nand | 1.7v ~ 2v | 8-LGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1970-gd5f4gq6rf9igy | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 80 MHz | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||
| Gd25ld10ctigrig | 0.2564 | | 6212 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25LD10 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI - Dual I/O | 55 µs, 6 ms | |||
| Gd25ld80ctig | - | | 1510 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25LD80 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 50 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Dual I/O | 60 µs, 6 ms | |||
| GD9FS1G8F2Algi | 2.6557 | | 7455 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-FBGA (9x11) | - | 1970-gd9fs1g8f2algi | 2,100 | No Volátil | 1 gbit | 30 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 45ns | ||||||||
| Gd25lb64enigr | 0.9126 | | 6403 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25lb64enigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25B64Enigr | 0.8564 | | 3834 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25b64enigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25lq255esigr | 3.4600 | | 6269 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
 | GD25Q16CEIGR | 0.8900 | | 30 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25VE20CSIGR | - | | 6221 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VE20 | Flash - Ni | 2.1V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Gd25ld40ctig | - | | 4889 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25LD40 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||
| GD25VQ20CSIG | 0.2885 | | 8614 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VQ20 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| Gd5f1gq5reyihy | 2.3962 | | 9242 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd5f1gq5reyihy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 9.5 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| GD25WQ32ESJGR | 0.7989 | | 2679 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-GD25WQ32ESJGRTR | 2,000 | 84 MHz | No Volátil | 32Mbit | 8 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 240 µs, 8 ms |
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