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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25WQ80EEGIG | 0.4950 |  | 1827 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25WQ80EEGRTRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | 12 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |||||||
 | GD25LQ10CEIGR | - | | 2790 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25LQ10 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25ld20ckigr | 0.3318 | | 5796 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25ld20ckigrtr | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 2 mbit | 12 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||||||
| GD25LD20EGIG | 0.2783 | | 8063 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LD20EEGRTR | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 2 mbit | 12 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||
| GD25F256FYIGR | 2.3791 | | 6103 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd25f256fyigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| Gd25le64ewigr | 0.8863 | | 6966 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25le64ewigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
 | Gd5f2gq4ueyigr | - | | 9158 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | GD5F2GQ4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | |||
 | GD25Q80CSIGR | 0.6100 | | 10 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25R512MEYIGR | 4.5955 | | 8077 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd25r512meyigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| GD25LD40EEGIG | 0.3318 | | 7225 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LD40EEGRTR | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | 12 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||
| Gd5f1gm7rewigy | 2.2630 | | 3297 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f1gm7rewigy | 5.700 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 9 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| GD9FU2G8F2Algi | 4.5698 | | 7867 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-FBGA (9x11) | descascar | 1970-GD9FU2G8F2Algi | 2,100 | No Volátil | 2 GBIT | 18 ns | Destello | 256m x 8 | Onde | 20ns | ||||||||
| GD25LB256E3IRR | 2.6281 | | 6314 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 48-WLCSP | descascar | 1970-gd25lb256e3irrtr | 3.000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 1.2 ms | |||||||
 | GD25Q64CFIG | 0.9296 | | 1334 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | GD25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1970-1044 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,640 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | ||
| Gd5f1gq5ueyihy | 2.3296 | | 5815 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd5f1gq5ueyihy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 7 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd25lb16etigrig | 0.5242 | | 10000 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25lb16etigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25Q32ETJGR | 0.6989 | | 5631 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25q32etjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25Q20CSIGR | - | | 7895 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q20 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25VQ40CSIGR | 0.4033 | | 7327 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VQ40 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| Gd25q16ctig | 0.3366 | | 5701 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 120 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd5f4gm8uewigr | 6.0398 | | 8624 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f4gm8uewigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4 gbit | 7 ns | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| GD25WQ128EQEGREG | 1.9478 | | 2726 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25WQ128EQEGRTRTRTR | 3.000 | 84 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 8 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 240 µs, 8 ms | |||||||
 | GD9FS1G8F2Amgi | 3.2171 | | 2836 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | GD9FS1G8 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | |||||||
| GD25LQ32EEGEG | 0.9828 | | 3824 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LQ32EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
 | Gd25q32cnigr | 0.8900 | | 24 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | GD25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (4x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25Q32CSIG | 0.5324 | | 7277 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25wd20ctigr | 0.2885 | | 3170 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25WD20 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| GD25LF32EEGEG | 1.0109 | | 9099 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lf | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LF32EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 5.5 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 100 µs, 4ms | |||||||
 | Gd25ld20coigr | 0.2885 | | 5405 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | GD25LD20 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 97 µs, 6 ms | |||
| Gd25le64e3igr | 0.9266 | | 6060 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WLCSP | - | 1970-gd25le64e3igrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms |
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