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Memoria (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25F64FSAGR | 1.4939 |  | 7244 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25F64FSAGRTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| Gd25q64cbigy | - | | 6626 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | GD25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25lq32esigr | 1.0100 | | 13 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25LQ32 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | ||
| GD55LT02 Gebario | 37.1750 | | 2866 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LT02 GOBAR | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25WD20EGIG | 0.2865 | | 4817 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25WD20EEGRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||
| GD25LB512Mey2Gy | 7.1953 | | 5315 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LB512Mey2Gy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| Gd25q80esjgr | 0.4077 | | 2689 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25q80esjgrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25q128yigr | 2.1300 | | 8352 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25lq64enagr | 1.5582 | | 5729 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | - | 1970-GD25LQ64Enagrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| Gd25d20ckigr | 0.3016 | | 7918 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25d20ckigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | |||||||
| GD25Q32ENGR | 0.8705 | | 6144 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-GD25Q32Engrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25B512MEF2RY | 6.7702 | | 9276 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 1970-GD25B512MEF2RY | 1.760 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| Gd25lr128esigr | 1.6523 | | 7709 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lr128esigrtr | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25LB512MEF2RR | 7.0523 | | 3698 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LB512MEF2RRTR | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25Q256EyJGR | 2.7672 | | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25Q256EyJgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25LQ255Eyigy | 2.1699 | | 6520 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25LQ255Eyigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
| Gd25q40esigr | 0.3167 | | 5297 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25q40esigrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 7 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | |||||||
| Gd25le64etigrig | 0.8045 | | 1377 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25le64etigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd5f1gm7reyigy | 2.1331 | | 2861 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f1gm7reyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 9 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| Gd5f4gq6reyigy | 6.7830 | | 9848 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f4gq6reyigy | 4.800 | 80 MHz | No Volátil | 4 gbit | 11 ns | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O | 600 µs | |||||||
 | GD25VQ20CTIG | 0.2885 | | 6283 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25VQ20 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| Gd5f1gq5uewigr | 1.4109 | | 8056 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f1gq5uewigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 7 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | |||||||
 | GD25LQ40CEIGR | - | | 6319 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25LQ40 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25LQ128Efirr | 1.4778 | | 3146 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | descascar | 1970-GD25LQ128Efirrtrtr | 1,000 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD9FU2G8F2Amgi | 4.5630 | | 3459 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FU2G8F2Amgi | 960 | No Volátil | 2 GBIT | 18 ns | Destello | 256m x 8 | Onde | 20ns | ||||||||
| Gd25lq64esagrgr | 1.4385 | | 9558 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lq64esagrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| GD25B16ES2GR | 0.7090 | | 5594 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-gd25b16es2grtr | 2,000 | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
| Gd25lq64enigr | 0.8986 | | 2770 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25lq64enigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25wq64esigr | 1.3900 | | 3498 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 12 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |||||
| GD25Q64CW2GR | 1.3970 | | 9623 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | - | 1970-GD25Q64CW2GRTR | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 4ms |
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