SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
GD25D05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25d05ctigr 0.3100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25D05 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 100 MHz No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 SPI - Dual I/O 50 µs, 4ms
GD25WD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIGR -
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25WD05 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 100 MHz No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25WD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80 CEIGR 0.7100
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25WD80 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CSIGR 0.5200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 104 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25WD10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10 CEIGR 0.3045
RFQ
ECAD 6299 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25WD10 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q64CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64cfigr 1.0164
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LE16CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le16cligr -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 21-xfbga, wlscp GD25LE16 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 21-WLCSP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64cqigr -
RFQ
ECAD 3614 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-Uson (4x4) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q32CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJG -
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q32 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gq4rf9igr -
RFQ
ECAD 8267 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vlga GD5F1GQ4 Flash - nand 1.7v ~ 2v 8-LGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI - Quad I/O 700 µs
GD25Q80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q80ctigr 0.6100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25S512MDYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25s512mdyigr 6.6100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25S512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq40ctig 0.3366
RFQ
ECAD 2162 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25LQ40 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 104 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25VQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25vq80ctig -
RFQ
ECAD 5033 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25VQ80 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 104 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 3 ms
GD25LQ64CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq64csigr 1.4100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25LQ64 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD5F1GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gm7reyigy 2.1331
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 1.7v ~ 2v 8-wson (6x8) descascar 1970-gd5f1gm7reyigy 4.800 104 MHz No Volátil 1 gbit 9 ns Destello 256m x 4 SPI - Quad I/O, DTR 600 µs
GD25LF128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lf128eqigr 1.4109
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lf Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (4x4) descascar 1970-gd25lf128eqigrtr 3.000 166 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25Q256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q256dyigr 3.9100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25Q256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq16ctig 0.4057
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25LQ16 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25WB256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WB256EyJGR 2.9601
RFQ
ECAD 2941 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar 1970-GD25WB256EyJGRTRTRTR 3.000 104 MHz No Volátil 256Mbit 7.5 ns Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O 300 µs, 8 ms
GD25LD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld80ckigr 0.3676
RFQ
ECAD 1652 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-USON (1.5x1.5) descascar 1970-gd25ld80ckigrtr 3.000 50 MHz No Volátil 8mbit 12 ns Destello 1m x 8 SPI - Dual I/O 97 µs, 6 ms
GD25Q80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q80ceigr 0.6800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25Q80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25VE40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ve40ctig 0.3686
RFQ
ECAD 4974 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25VE40 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 104 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LQ16ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ET2GR 0.7499
RFQ
ECAD 3196 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-SOP - 1970-GD25LQ16ET2GRTR 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 6 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25R64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25r64ewigr 1.2636
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25R Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) - 1970-gd25r64ewigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq128ewigr 2.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25LQ128 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 128 Mbbit 7 ns Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 60 µs, 2.4 ms
GD55LE511MEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511Mewigy 4.1663
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Activo - 1970-gd55le511mewigy 5.700
GD25LB32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lb32ewigr 0.7301
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) descascar 1970-gd25lb32ewigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 32Mbit 6 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25LQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq64enigr 0.8986
RFQ
ECAD 2770 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (3x4) descascar 1970-gd25lq64enigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25B16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25b16esigr 0.4805
RFQ
ECAD 6163 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar 1970-gd25b16esigrtr 2,000 133 MHz No Volátil 16mbit 7 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock