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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT: D TR -
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT48LC32M16A2P-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2P-75 L: C -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC32M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT35XU256ABA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU256ABA2G12-0AUT 10.5900
RFQ
 ECAD 871 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ - MT35X Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 24-tbGa MT35XU256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 200 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 Autobús xcela -
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AIT: D -
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-053 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 7083 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 376-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
M29F040B70K6 Micron Technology Inc. M29F040B70K6 -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M29F040 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 32 No Volátil 4mbit 70 ns Destello 512k x 8 Paralelo 70ns
MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DE-046 WT: E TR 25.0400
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E768M32D4DE-046WT: ETR 1 2.133 GHz Volante 24 gbit 3.5 ns Dracma 768m x 32 Paralelo 18ns
MT53B512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT: B -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
M29F040B90K1 Micron Technology Inc. M29F040B90K1 -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M29F040 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 32 No Volátil 4mbit 90 ns Destello 512k x 8 Paralelo 90ns
MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AIT: P TR 19.1550
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT41K512M16VRN-107AIT: PTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 512m x 16 Paralelo 15ns
M29W640GL70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZF6E -
RFQ
 ECAD 6254 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 816 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT25QL512ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABA8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT: C TR -
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
EMFP112A3PB-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFP112A3PB-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E1T08CMHBBJ4-3: B -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29E1T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
M25PX16-VZM6P Micron Technology Inc. M25PX16-VZM6P -
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa M25PX16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 24-TBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 187 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT46V64M8FN-75 IT:D Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 IT: D -
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs no conforme 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT47H256M8EB-25E IT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E IT: C -
RFQ
 ECAD 6195 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.320 400 MHz Volante 2 GBIT 400 ps Dracma 256m x 8 Paralelo 15ns
MT28F400B3SG-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 T -
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) MT28F400B3 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 44-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
EDB8164B4PK-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PK-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 4833 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 220-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT40A1G16WBU-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G16WBU-075E: B TR -
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz Volante 16 gbit Dracma 1g x 16 Paralelo -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q -
RFQ
 ECAD 4014 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 221-WFBGA Mt29tzzz8 Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.520 933 MHz No Volátil, Volátil 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) Flash, ram 68g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P-V Micron Technology Inc. Mt29f64g08cbaaal74a3wc1p-v -
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F64G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V Morir - 1 (ilimitado) Obsoleto 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT47H64M8JN-25E IT:G Micron Technology Inc. Mt47h64m8jn-25e it: g -
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT53B2DBNP-DC Micron Technology Inc. Mt53b2dbnp-dc -
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.360 Volante Dracma
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c4g48mazapakq-5 it -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT46V32M8P-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B: GTR -
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v32m8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 256Mbit 700 PS Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
JS28F512M29EBHB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29EBHB TR -
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F512M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 No Volátil 512Mbit 110 ns Destello 64m x 8, 32m x 16 Paralelo 110ns
MT29F8G08FACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08FACWP: C TR -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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