SIC
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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C8G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 8Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 16 (nand), 64m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AIT: P TR 8.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT: E 49.0500
RFQ
 ECAD 1682 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 376-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT46V32M8TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75 L: G TR -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v32m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 750 ps Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
MT48LC8M32B2P-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2P-6 TR -
RFQ
 ECAD 6235 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 256Mbit 5.5 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 12ns
MT41J256M8JE-187E:A Micron Technology Inc. MT41J256M8JE-187E: A -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 82-FBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 82-FBGA (12.5x15.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q4329252 EAR99 8542.32.0036 25 533 MHz Volante 2 GBIT 13.125 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-046 WT ES: A -
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
M29W800DT45ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT45ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 2.500 No Volátil 8mbit 45 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 45ns
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25 IT: B TR -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCBBH6-6R: B TR -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT53D4DBSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DBSB-DC -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.190
MT51J256M32HF-50:A Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-50: A -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA MT51J256 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 1.260 Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. Mt29c1g12maajyamd-5 it tr tr TRA -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT49H16M36SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25E: B 47.8500
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1.120 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELHBBG1-3R: B TR -
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 272-vfbga MT29F1HT08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 1.5tbit Destello 192G x 8 Paralelo -
M45PE80-VMP6 Micron Technology Inc. M45PE80-VMP6 -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M45PE80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 490 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT40A512M16JY-083E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AIT: B -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,280 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT48H8M32LFB5-6 IT:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-6 IT: H -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 256Mbit 5 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT47H512M8WTR-25E:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-25E: C -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 63-TFBGA MT47H512M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (9x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.320 400 MHz Volante 4 gbit 400 ps Dracma 512m x 8 Paralelo 15ns
MT29F512G08CUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10: A -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT48LC8M16LFF4-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-8 XT: G -
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -20 ° C ~ 75 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 125 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT62F1G64D4EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT: B TR 73.4400
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 Paralelo -
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT: C TR -
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
M25PE40-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25PE40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT25QU256ABA8E14-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25Qu256ABA8E14-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25Qu256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53D384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 WT: E TR -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CFM-25: B TR -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT53D8DBPM-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DBPM-DC TR -
RFQ
 ECAD 4287 0.00000000 Micron Technology Inc. * Tape & Reel (TR) Activo MT53D8 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
MT40A1G8AG-062E AIT:R Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AIT: R -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Alcanzar sin afectado 557-MT40A1G8AG-062EAIT: R 1 1.6 GHz Volante 8 gbit 19 ns Dracma 1g x 8 Paralelo 15ns
MT28F128J3RG-12 ET TR Micron Technology Inc. Mt28f128j3rg-12 et tr -
RFQ
 ECAD 6160 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Mt28f128j3 Destello 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 Mbbit 120 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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