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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 | 12.7200 |  | 6219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | MT38Q40 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.360 | |||||||||||||||||
| MT40A1G16KNR-062E: E | 21.7650 | | 3041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.080 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT40A1G8SA-062E: J | - | | 6639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT40A1G8SA-062EIT: J | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT40A2G4SA-062E: J | - | | 3080 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 4 | Paralelo | 15ns | |||
| MT40A512M8SA-062E IT: F | 9.1650 | | 4992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT40A512M8SA-062EIT: F | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | |
| MT41K2G4RKB-107: P | 24.1650 | | 9447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 2G x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53E128M32D2DS-053 AIT: A | 11.0200 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-053AIT: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
| MT53E128M32D2DS-053 WT: A | 8.7100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-053WT: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
 | MT53E1536M32D4DT-046 WT: A | - | | 7093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E1536M32D4DT-046WT: A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | - | - | |||||
| MT53E256M16D1DS-046 AIT: B | - | | 3212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E256M16D1DS-046AIT: B | Obsoleto | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | - | - | |||||||
| MT53E2G32D4DT-046 AIT: A | 57.3900 | | 4894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E2G32D4DT-046AIT: A | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||
| MT53E2G32D4DT-046 WT: A | 47.4300 | | 7844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E2G32D4DT-046WT: A | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||
| MT53E384M32D2DS-046 AAT: E | - | | 8090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E384M32D2DS-046AAT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | ||
| MT53E768M32D4DT-046 WT: E | 23.6850 | | 1961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E768M32D4DT-046WT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | |||
| MT53E768M32D4DT-053 AIT: E | 26.6100 | | 1445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E768M32D4DT-053AIT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | ||
| MT53E768M64D4SQ-046 WT: A | 73.1400 | | 9754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E768M64D4SQ-046WT: A | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | ||||||
 | MT61K512M32KPA-16: B | 26.2200 | | 3815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61K512 | SGRAM - GDDR6 | 1.31V ~ 1.391V | 180-FBGA (12x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 8 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | |||
 | Mtfc32gjgef-it z | - | | 4260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-TFBGA | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-TFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MTFC32GJGEF-AITZ | Obsoleto | 0000.00.0000 | 980 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | Mtfc4glgdm-it a | - | | 9091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MTFC4GLGDM-ATA | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | |||
| Mtfc8glwdm-it a | - | | 7180 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MTFC8GLWDM-ATA | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.360 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR | 10.3350 | | 5453 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109TR | 3.000 | |||||||||||||||||
| MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 | 10.3350 | | 9303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 | 1.440 | |||||||||||||||||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF: A | - | | 3106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF: A | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT62F1G64D8CH-036 WT: A | - | | 8648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | MT62F1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | - | 557-MT62F1G64D8CH-036WT: A | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.190 | 2.75 GHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 1g x 64 | - | - | ||||||||
| MT29F2T08EMHBFJ4-R: B | - | | 8821 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 1.7V ~ 1.95V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08MHBFJ4-R: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT53E2D1AFW-DC | 22.5000 | | 7718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E2 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2D1AFW-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
 | MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F | 2.9984 | | 6915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 1 gbit | 20 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 20ns | |||
 | MT40A4G8BAF-062E: B | - | | 8492 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A4G8BAF-062E: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 168 | 1.6 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 4g x 8 | Paralelo | - | ||
| MT40A1G16KD-062E: E | - | | 5611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G16KD-062E: E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT53D512M32D2DS-046 WT: F TR | 30.7500 | | 7171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53D512M32D2DS-046WT: FTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - |
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