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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT62F4G32D8DV-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AUT: B TR 145.4250
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AUT: BTR 2,000 4.266 GHz Volante 128 GBIT Dracma 4g x 32 Paralelo -
MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt25qu256aba1esf-0sit TR -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25Qu256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
EDF8164A3MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie - Edf8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 253-FBGA (11x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT47H256M4CF-3:H Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-3: H -
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 256m x 4 Paralelo 15ns
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-5 IT: H TR -
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H8M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 256Mbit 5 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AUT: C -
RFQ
 ECAD 8014 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT41K128M16JT-107G:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107G: K TR -
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT62F1G32D2DS-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT: B TR 22.8450
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WT: BTR 2,000 3.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT41J128M8JP-15E AIT:G Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-15E AIT: G -
RFQ
 ECAD 3071 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 667 MHz Volante 1 gbit Dracma 128m x 8 Paralelo -
MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M -
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT41K1G8SN-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-125: A -
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1 800 MHz Volante 8 gbit 13.75 ns Dracma 1g x 8 Paralelo -
MT46H256M32L4JV-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-6 IT: A -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 166 MHz Volante 8 gbit 5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 15ns
MT41K256M16TW-93:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-93: P TR -
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000 1.066 GHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT53B2DATG-DC Micron Technology Inc. Mt53b2datg-dc -
RFQ
 ECAD 2250 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 960
MT57W512H36BF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W512H36BF-7.5 23.0000
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA MT57W512H SRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 18mbit 7.5 ns Sram 512k x 36 Paralelo -
MT53D4DDFL-DC Micron Technology Inc. Mt53d4ddfl-dc -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.120
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 Micron Technology Inc. MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 -
RFQ
 ECAD 9678 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto MT29RZ4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M29W512GH70N3E Micron Technology Inc. M29W512GH70N3E -
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 576 No Volátil 512Mbit 70 ns Destello 64m x 8, 32m x 16 Paralelo 70ns
MT29F32G08ABAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-Z: A -
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AIT: C -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 1943 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 AAT: K TR 5.3633
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 WT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 2338 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT29F1T08EBLCHD4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-R: C TR 20.9850
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F1T08EBLCHD4-R: CTR 2,000
MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8RG-053 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.190 1.866 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT42L256M32D2LK-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D2LK-18 WT: A -
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA MT42L256M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 Paralelo -
M58LT256KSB7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256KSB7ZA6E -
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M58LT256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 16m x 16 Paralelo 70ns
MT29F2G08ABDWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABDWP: D TR -
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
M25P40-VMP6TGB0A TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGB0A TR -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25P40 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 4.000 75 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
N25Q128A13BSF40E Micron Technology Inc. N25Q128A13BSF40E -
RFQ
 ECAD 3627 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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