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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W128GL70ZA6E | - |  | 1026 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MTFC8GACAENS-5M AAT | - | | 2349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | M25P16-VMN3PB | - | | 2734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25P16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT53D512M64D4NW-062 WT: D | - | | 5704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT62F4G32D8DV-023 WT: B | 90.4650 | | 8128 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K | 10.1850 | | 2748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-WFBGA (8x9.5) | descascar | 557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K | 1 | No Volátil, Volátil | 4 gbit | 25 ns | Flash, ram | 512m x 8 | Onde | 30ns | ||||||||
 | N25Q064A13ESFD0F TR | - | | 6846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
 | Mt29c1g12maaivamd-5 it | - | | 2103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
 | MT53E128M32D2DS-053 AUT: A TR | 8.7450 | | 5628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-053AUT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
| MTFC128GASAQJP-AAT | 57.1950 | | 3334 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC128GASAQJP-AAT | 1 | 200 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MT54W2MH8JF-6 | 31.6600 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT54W2MH | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volante | 16mbit | 6 ns | Sram | 2m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT40A1G8SA-062E AIT: E TR | 9.2250 | | 3485 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT40A1G8SA-062AIT: ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | |
 | MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F TR | 2.9665 | | 1359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | MT46V64M8CV-5B: J | - | | 5032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | TE28F256J3D95A | - | | 1797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | 28F256J3 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 256Mbit | 95 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 95ns | |||
 | MT46H32M16LFBF-5 AIT: C TR | 6.7800 | | 575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT48H16M16LFBF-75: G TR | - | | 8646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H16M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| EDFA232A2PB-GD-FR TR | - | | 3053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | - | Edfa232 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F64G08CBAAAWP-Z: A | - | | 1360 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F512G08CMEABH7-12IT: A TR | - | | 2083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MTFC64GAPALBH-AAT | - | | 9015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC64 | Flash - nand | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E2G32D4NQ-046 WT: C TR | 36.8700 | | 8168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2G32D4NQ-046WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||
| MT53D384M32D2DS-053 AAT ES: E | - | | 8366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
 | MT29F2G08ABAGAWP-AIT: G | 2.5267 | | 5243 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AIT: G | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 20ns | |||
| Mtfc32gazaotd-it tr | 24.8700 | | 8949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC32Gazaotd-ITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT25Qu128ABB8E57-CSIT | 3.0000 | | 8279 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5,000 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.8ms | |||||
| MT29F2G16ABBGAH4-AISES: G | 5.0400 | | 6294 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G16 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | |||||
| MT53E2G64D8TN-046 AUT: C TR | 138.4950 | | 9174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | descascar | 557-MT53E2G64D8TN-046AUT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | MT29F2T08EMLCEJ4-R: C | - | | 7964 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R: C | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT41J512M8RH-107: E | - | | 4066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J512M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - |
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