SIC
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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página Sic programable
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B 17.7000
RFQ
 ECAD 1426 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046AAT: B 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 512m x 32 Paralelo 18ns
MT48H32M16LFB4-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-75 IT: C TR -
RFQ
 ECAD 7261 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48H32M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F32G08CBACAL73A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1 -
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 696 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT29F32G08CFACBWP-12:C Micron Technology Inc. MT29F32G08CFACBWP-12: C -
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B2G32D8QD-062 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53B2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
M29F040B45K1 Micron Technology Inc. M29F040B45K1 -
RFQ
 ECAD 3600 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M29F040 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 32 No Volátil 4mbit 45 ns Destello 512k x 8 Paralelo 45ns
M29W128GL70ZS6E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS6E -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
M29W128FH70N6E Micron Technology Inc. M29W128FH70N6E -
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-5028 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
M36L0R7050L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050L3ZSF TR -
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto M36L0R7050 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2.500
MT47H64M16NF-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E: M TR 3.4165
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT47H64M16NF-25E: MTR EAR99 8542.32.0032 2,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT47H128M4CB-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-5E: B TR -
RFQ
 ECAD 4177 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 600 PS Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
MT47H64M16HR-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3: E TR -
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G Micron Technology Inc. Mt29f64g08cbcgbsx-37bes: g -
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 267 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT: ES B -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.190 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
MT44K16M36RB-093E:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E: B 57.5400
RFQ
 ECAD 1886 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K16M36 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1.190 1.066 GHz Volante 576Mbit 8 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT46V128M8P-6T IT:A Micron Technology Inc. Mt46v128m8p-6t it: a -
RFQ
 ECAD 4392 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 167 MHz Volante 1 gbit 700 PS Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
M29W400DT45ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DT45ZE6E -
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 187 No Volátil 4mbit 45 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 45ns
MT62F1536M32D4DS-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT: B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-023WT: BTR 2,000 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
MTFC32GJVED-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc32gjved-it tr -
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-vfbga Mtfc32g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 169-vfbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
EDF8132A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PK-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4988 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8132 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 800 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 Paralelo -
MT29F8G01ADBFD12-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01AdBFD12-AATES: F TR 9,0001
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie MT29F8G01 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 8 gbit Destello 8g x 1 SPI - Sin verificado
MT25QL256ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW7-0SIT 6.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn MT25QL256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT46H32M16LFBF-6 IT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 IT: C -
RFQ
 ECAD 9949 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H32M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT40A512M8RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E: B -
RFQ
 ECAD 2674 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 1.33 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT46V32M16BN-6:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6: C TR -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
N25Q256A13E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13E1240F TR -
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q256A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT49H32M9FM-33:B Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33: B -
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 32m x 9 Paralelo -
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEJ4-QC: E TR 26.4750
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F1T08EELEJ4-QC: ETR 2,000
MT48LC16M16A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E: G -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1.080 133 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 14ns
M25PX80-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 7683 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25PX80 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vfqfpn (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 4.000 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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