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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC16M16A2TG-75: D TR | - |  | 9804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53E256M16D1FW-046 AUT: B | 10.8000 | | 7000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M16D1FW-046AUT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | PC28F00am29ewh0 | - | | 8390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F00A | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | No Volátil | 1 gbit | 100 ns | Destello | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
 | MT29F256G08AUCABH3-10IT: A | - | | 5875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT41K512M16VRN-107 IT: P TR | - | | 8980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K512M16VRN-107IT: PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES: E | - | | 2624 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT51K256M32HF-70: B | - | | 9166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT51K256 | SGRAM - GDDR5 | 1.3V ~ 1.545V | - | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | |||||||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 MS | - | | 3649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Una granela | Activo | MT52L256 | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53B192M32D1Z9AMWC1 | - | | 5206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B192 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | Volante | 6 gbit | Dracma | 192m x 32 | - | - | ||||||
| MT53B256M32D1Z01MWC1 | - | | 1377 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT53B256 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53B256M32D1Z91MWC1 | - | | 8804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT53B256 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT4A1G8SA-75: E TR | - | | 7399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT4A1 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT4A512M16LY-75: E TR | - | | 9982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT4A512 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR | - | | 2713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25QL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT25QL256ABA8ESF-MSITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||
 | MT29F2G08ABAEAWP-E: E | - | | 2528 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT40A512M8SA-062E: F | 8.3250 | | 9576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT40A4G4VA-062E: B TR | - | | 5186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT40A4G4VA-062E: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F4G16ABAFAH4-AT: F TR | - | | 4464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G16 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | 1 (ilimitado) | MT29F4G16ABAFAH4-AIT: FTR | Obsoleto | 2,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||||
| MT29F4G16ABAFAH4-AT: F | - | | 2680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G16 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 1.260 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | |||||||
 | MT25QL256ABA8E12-0AUT | 8.9500 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25QL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | 5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI | 1.8ms | ||
| Mt25qu256aba8e12-0aut | 8.2300 | | 7361 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25Qu256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.8ms | ||
| MT29F1G16ABBFAH4-AATES: F | - | | 8616 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | |||||
| MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES | - | | 5838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | Morir | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 1 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT25QU02GCBB8E12-0AUT TR | 39.4950 | | 6013 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Mt25qu02 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT25QU02GCBB8E12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI | 1.8ms | ||
| MT29F2G01ABBGD12-AATES: G TR | 5.3943 | | 3726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F2G01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F2G01ABBGD12-AATES: GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 2G x 1 | SPI | - | |||
| MT29F2G16ABBGAH4-AATES: G TR | 5.3168 | | 9525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G16 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F2G16ABBGAH4-AATES: GTR | 0000.00.0000 | 2,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F TR | 3.8912 | | 7790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F4G08ABAFAWP-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F8G01ADAFD12-AAT: F TR | - | | 1638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F8G01 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F8G01ADAFD12-AAT: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | No Volátil | 8 gbit | Destello | 8g x 1 | SPI | - | ||
| MT29F8G01ADBFD12-AAT: F TR | 9.2550 | | 8269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F8G01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F8G01ADBFD12-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | No Volátil | 8 gbit | Destello | 8g x 1 | SPI | - | |||
| Mt29f8g08adafawp-aat: f tr | 9.2550 | | 1913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Mt29f8g08adafawp-aat: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - |
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