SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT40A2G4SA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E: J -
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1.260 1.6 GHz Volante 8 gbit 19 ns Dracma 2G x 4 Paralelo 15ns
MT40A512M8SA-062E IT:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E IT: F 9.1650
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT40A512M8SA-062EIT: F EAR99 8542.32.0036 1.260 1.6 GHz Volante 4 gbit 19 ns Dracma 512m x 8 Paralelo 15ns
MT41K2G4RKB-107:P Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107: P 24.1650
RFQ
ECAD 9447 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.440 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 2G x 4 Paralelo 15ns
MT53E128M32D2DS-053 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AIT: A 11.0200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E128M32D2DS-053AIT: A EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
MT53E128M32D2DS-053 WT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT: A 8.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E128M32D2DS-053WT: A EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 WT: A -
RFQ
ECAD 7093 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1536 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E1536M32D4DT-046WT: A Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 48 GBIT Dracma 1.5GX 32 - -
MT53E256M16D1DS-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AIT: B -
RFQ
ECAD 3212 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E256M16D1DS-046AIT: B Obsoleto 1.360 2.133 GHz Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 - -
MT53E2G32D4DT-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 AIT: A 57.3900
RFQ
ECAD 4894 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E2G32D4DT-046AIT: A 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT53E2G32D4DT-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 WT: A 47.4300
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E2G32D4DT-046WT: A 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT53E384M32D2DS-046 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AAT: E -
RFQ
ECAD 8090 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E384M32D2DS-046AAT: E EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT53E768M32D4DT-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 WT: E 23.6850
RFQ
ECAD 1961 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E768M32D4DT-046WT: E EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AIT: E 26.6100
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E768M32D4DT-053AIT: E EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 WT: A 73.1400
RFQ
ECAD 9754 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E768M64D4SQ-046WT: A 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT61K512M32KPA-16:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-16: B 26.2200
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA MT61K512 SGRAM - GDDR6 1.31V ~ 1.391V 180-FBGA (12x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 8 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 Paralelo -
MTFC32GJGEF-AIT Z Micron Technology Inc. Mtfc32gjgef-it z -
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-TFBGA Mtfc32g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MTFC32GJGEF-AITZ Obsoleto 0000.00.0000 980 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MTFC4GLGDM-AIT A Micron Technology Inc. Mtfc4glgdm-it a -
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-TFBGA Mtfc4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MTFC4GLGDM-ATA Obsoleto 8542.32.0071 1.520 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MTFC8GLWDM-AIT A Micron Technology Inc. Mtfc8glwdm-it a -
RFQ
ECAD 7180 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-TFBGA MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MTFC8GLWDM-ATA Obsoleto 8542.32.0071 1.360 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT41K2G4RKB-107 C:N TR Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107 C: N TR -
RFQ
ECAD 9696 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT41K2G4RKB-107C: NTR Obsoleto 2,000 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 2G x 4 Paralelo 15ns
MT40A8G4VNE-062H:B TR Micron Technology Inc. MT40A8G4VNE-062H: B TR 80.8350
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT40A8G4VNE-062H: BTR 8542.32.0071 3.000 1.6 GHz No Volátil 32 GBIT 13.75 ns Dracma 8g x 4 Paralelo -
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AUT: E TR 50.2500
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - Alcanzar sin afectado 557-MT53E768M32D4DT-046AUT: ETR 2,000 2.133 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J TR -
RFQ
ECAD 3015 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto MT29VZZZBD8 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29VZZZBD8FQKSM-046W.G8JTR Obsoleto 2,000
MTFC128GAPALBH-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAPALBH-AAT TR 89.0850
RFQ
ECAD 7322 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 105 ° C (TA) MTFC128 Flash - nand - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MTFC128GAPALBH-AATTR 8542.32.0071 2,000 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
MT53E4D1BEG-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1BEG-DC TR -
RFQ
ECAD 3922 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto MT53E4 - 557-MT53E4D1BEG-DCTR Obsoleto 2,000
MTFC128GAPALPH-AIT Micron Technology Inc. Mtfc128gapalph-it -
RFQ
ECAD 9165 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC128 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MTFC128GAPALPH-AT 8542.32.0071 980 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
MT53E2D1AFW-DC TR Micron Technology Inc. MT53E2D1AFW-DC TR 22.5000
RFQ
ECAD 8837 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT53E2 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E2D1AFW-DCTR 2,000
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 WT: A TR -
RFQ
ECAD 6995 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53E2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 557-MT53E2G32D4NQ-046WT: ATR Obsoleto 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT53E4D1CDE-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1CDE-DC TR 22.5000
RFQ
ECAD 1807 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT53E4 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E4D1CDE-DCTR 2,000
MT29VZZZBD9FQKPR-046 W.G9J TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9FQKPR-046 W.G9J TR -
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto MT29VZZZBD9 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29VZZZBD9FQKPR-046W.G9JTR Obsoleto 2,000
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF: A TR 37.2900
RFQ
ECAD 1307 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F1T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF: ATR 2,000 333 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT62F768M64D4EJ-031 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 WT ES: A TR 62.8950
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT62F768 - Alcanzar sin afectado 557-MT62F768M64D4EJ-031WTES: ATR 1.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock