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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT41J128M16HA-107G:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-107G: D -
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
M29W400DB55N6E Micron Technology Inc. M29W400DB55N6E -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
N25Q032A11EF440E Micron Technology Inc. N25Q032A11EF440E -
RFQ
 ECAD 3294 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición N25Q032A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,940 108 MHz No Volátil 32Mbit Destello 8m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT41J128M8HX-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J128M8HX-15E: D TR -
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,000 667 MHz Volante 1 gbit Dracma 128m x 8 Paralelo -
JR28F032M29EWHA Micron Technology Inc. Jr28f032m29ewha -
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JR28F032M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns
MT40A512M16LY-062E IT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E IT: E 8.7500
RFQ
 ECAD 519 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.080 1.6 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J TR 9.0000
RFQ
 ECAD 3241 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 149-WFBGA Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87JTR 2,000 No Volátil, Volátil 4 gbit 25 ns Flash, ram 512m x 8 Onde 30ns
MT53E4D1BDE-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1BDE-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 2754 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT53E4 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E4D1BDE-DCTR 2,000
MT40A4G4NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E: R TR 21.7650
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - 557-MT40A4G4NEA-062E: RTR 2,000 1.6 GHz Volante 16 gbit 19 ns Dracma 4g x 4 Paralelo 15ns
MT41K1G8RKB-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107: P TR 24.1650
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT41K1G8RKB-107: PTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 1g x 8 Paralelo 15ns
RC28F128J3F95D Micron Technology Inc. RC28F128J3F95D -
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) - Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 No Volátil 128 Mbbit 95 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 95ns
EDFA164A2PP-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PP-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo -
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CMCCBH7-6: C TR -
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29E512G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 8497 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT48H32M16LFB4-75B IT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-75B IT: C -
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48H32M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT57W1MH18JF-5 Micron Technology Inc. MT57W1MH18JF-5 25.3300
RFQ
 ECAD 707 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA Sram - Síncrono, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz Volante 18mbit 450 ps Sram 1m x 18 Hstl -
MT29C8G96MAZBADJV-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c8g96mazbadjv-5 it -
RFQ
 ECAD 9548 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT29C8G96 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 8Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT53E512M64D4HJ-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D4HJ-046 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: DTR Obsoleto 2,000
MT40A2G4SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075: E TR 10.1850
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 2G x 4 Paralelo -
PC28F256P30BFF TR Micron Technology Inc. PC28F256P30BFF TR -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 16m x 16 Paralelo 100ns
M58LR256KT70ZC5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZC5F TR -
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 79-vfbga M58LR256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 79-vfbga (9x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 66 MHz No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 16m x 16 Paralelo 70ns
N25Q064A13E12H0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13E12H0F TR -
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT53B384M32D2NP-062 AUT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AUT: B -
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT44K32M18RB-107E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E: A TR -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K32M18 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 933 MHz Volante 576Mbit 8 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
MT29F1T08GBLCEJ4:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLCEJ4: C TR 19.5450
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F1T08GBLCEJ4: CTR 2,000
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6R: C TR -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT29F128G08CBCCBH6-6R: CTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT29F64G08AECABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10Z: A -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 100 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
PZ28F064M29EWLX Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWLX -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-vfbga PZ28F064M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 187 No Volátil 64 Mbbit 60 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 60ns
MT29V5D7GVESL-046I.216 Micron Technology Inc. MT29V5D7GVESL-046I.216 31.6800
RFQ
 ECAD 1679 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29V5D7GVESL-046I.216 1
MT40A512M16HA-083E IT:A TR Micron Technology Inc. Mt40a512m16ha-083e it: un tr -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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