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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
N25Q032A13ESE40F Micron Technology Inc. N25q032a13ese40f -
RFQ
 ECAD 9320 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) N25Q032A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 108 MHz No Volátil 32Mbit Destello 8m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT46H256M32L4JV-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-6 IT: A -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 166 MHz Volante 8 gbit 5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 15ns
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3T: A -
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F1T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT29F128G08CBCABL85A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABL85A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
M29W400DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W400DB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 8577 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 No Volátil 4mbit 70 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 70ns
MT46V128M4TG-75E:D Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-75E: D -
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP - Rohs no conforme 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
MT51J256M32HF-50:A Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-50: A -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA MT51J256 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 1.260 Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT49H64M9SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H64M9SJ-25E: B -
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H64M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1.120 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 64m x 9 Paralelo -
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAH4-IT: C -
RFQ
 ECAD 7740 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F8G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT41J128M16HA-125:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-125: D -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT53E1536M32D4NQ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4NQ-046 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - 557-MT53E1536M32D4NQ-046WT: BTR Obsoleto 2,000
MT25QL01GBBB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBBBB8ESF-0AAT TR 14.4150
RFQ
 ECAD 5862 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MTFC4GACAAEA-WT Micron Technology Inc. Mtfc4gacaaea-wt -
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Mtfc4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MT28F320J3RG-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 MET TR -
RFQ
 ECAD 1256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28F320J3 Destello 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32Mbit 110 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo -
M25P05-AVMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 9557 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25P05-A Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 4.000 50 MHz No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT29F2G16ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC: E -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.140 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
MT46V64M4TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4TG-75: G TR -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 750 ps Dracma 64m x 4 Paralelo 15ns
M29W400BT55ZA1 Micron Technology Inc. M29W400BT55ZA1 -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 180 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
MT42L128M32D2KL-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M32D2KL-25 IT: A -
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA MT42L128M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 168-FBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
NAND512W3A2DN6E Micron Technology Inc. Nand512w3a2dn6e -
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Nand512 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Nand512w3a2dn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 512Mbit 50 ns Destello 64m x 8 Paralelo 50ns
MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT -
RFQ
 ECAD 2025 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto MT25QL128 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
MT49H16M18FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-33: B TR -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT25QL128ABB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8E12-0AUT 6.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Mt25ql128abb8e12-0aut 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR Micron Technology Inc. Mt25qu128abb8esf-0aut TR -
RFQ
 ECAD 8883 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25Qu128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c1g12maadyakd-5 it it it -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT53D4D1ASQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ASQ-DC TR -
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000
M25P10-V6D11 Micron Technology Inc. M25P10-V6D11 -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - M25P10 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1 50 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI -
M50FLW040AN5G Micron Technology Inc. M50flw040an5g -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) M50FLW040 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 40-tsop - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 120 33 MHz No Volátil 4mbit 250 ns Destello 512k x 8 Paralelo -
PC28F256P30BFA Micron Technology Inc. PC28F256P30BFA -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 16m x 16 Paralelo 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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