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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
JS28F00AM29EWHB TR Micron Technology Inc. Js28f00am29ewhb TR -
RFQ
 ECAD 4978 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F00am29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 1 gbit 110 ns Destello 128m x 8, 64m x 16 Paralelo 110ns
MT48V8M16LFB4-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8 XT: G -
RFQ
 ECAD 9354 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -20 ° C ~ 75 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48V8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 2.3V ~ 2.7V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 125 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT46V64M8BN-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-75 L: D -
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MTFC128GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNA-AIT ES TR -
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto MTFC128 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1,000
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12Itz: A TR -
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 83 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
EDFA164A2PH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PH-GD-FD -
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 800 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo -
MT47H32M8BP-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-5E: B TR -
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H32M8B SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x12) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 256Mbit 600 PS Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
MT53E384M32D2FW-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AIT: E TR 10.7700
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo descascar 557-MT53E384M32D2FW-046AIT: ETR 2,000
MTFC64GAJAEDQ-AAT TR Micron Technology Inc. Mtfc64gajaedq-aat tr -
RFQ
 ECAD 2295 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC64 Flash - nand - 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
MT29C1G12MAACAEAML-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAML-6 IT -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 153-vfbga descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MTFC64GJVDN-WT Micron Technology Inc. Mtfc64gjvdn-wt -
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC64 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT: C -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZAPAKD-5 -
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT45W4MW16BFB-708 WT F Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 WT F -
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 54-vfbga MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (6x9) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 Volante 64 Mbbit 70 ns Psram 4m x 16 Paralelo 70ns
MT25QL01GBBB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0AUT 24.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Mt25ql01gbbbb8e12-0aut 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT25QU512ABA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25Qu512ABA8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 2369 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25Qu512 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT25QL256ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-0AAT TR 5.4450
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29F6T08ETCBBM5-37:B Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37: B -
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.120 267 MHz No Volátil 6tbit Destello 768g x 8 Paralelo -
MT25QU512ABB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. Mt25qu512abb8esf-0aat tr 8.1150
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25Qu512 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8ESF-0SIT TR 13.1400
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Mt25qu01 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53E4D1AHJ-DC Micron Technology Inc. MT53E4D1AHJ-DC 22.5000
RFQ
 ECAD 1036 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT53E4 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E4D1AHJ-DC 1.360
MT46V16M8TG-6T L:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T L: D TR 8.8200
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v16m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 700 PS Dracma 16m x 8 Paralelo 15ns
MT29F4T08EMLCHD4-T:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-T: C 83.9100
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: C 1
MT49H16M18BM-18:B Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-18: B -
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0024 1,000 533 MHz Volante 288Mbit 15 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
M58LT256JSB8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256JSB8ZA6E -
RFQ
 ECAD 2922 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 80 lbGa M58LT256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 80 LBGA (10x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -M58LT256JSB8ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 52 MHz No Volátil 256Mbit 85 ns Destello 16m x 16 Paralelo 85ns
MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-75 L IT: G -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B768M64D8BV-062 WT ES: B -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
M29W800DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DB70ZE6E -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 187 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT29F8G08AAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F8G08AAAWP: A TR -
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT48LC2M32B2P-5:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-5: G TR -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 200 MHz Volante 64 Mbbit 4.5 ns Dracma 2m x 32 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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