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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PC28F128P30B85A | - |  | 1678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT29F4T08EULEEM4-QJ: E | 105.9600 | | 7820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: E | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES | - | | 5345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | MT48H8M16LFF4-8 | - | | 9065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H8M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.9V | 54-vfbga (8x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 128 Mbbit | 6 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT46H128M16LFB7-5 IT: B | - | | 1164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT53E384M32D2FW-046 IT: E TR | 9.7650 | | 3197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E384M32D2FW-046IT: ETR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 12 gbit | 3.5 ns | Dracma | 384m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT48H32M16LFBF-6: B TR | - | | 3950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H32M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46V128M4BN-75: D TR | - | | 2701 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 128m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
| M29F040B70N1 | - | | 5004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29F040 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 70ns | |||
| MT46V16M16FG-75: F | - | | 9739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT47H32M16NF-187E: H | - | | 6561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.368 | 533 MHz | Volante | 512Mbit | 350 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| PC28F640P30TF65B TR | - | | 8896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F640 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (8x10) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 65 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 65ns | ||
| Mtfc64ganalam-wt es tr | - | | 2531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC64 | Flash - nand | - | - | - | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT48LC32M8A2P-75: D TR | - | | 5611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46H128M32L2KQ-5 IT: A | - | | 3524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 4 gbit | 5 ns | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT46V128M4BN-6: D TR | - | | 9402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 128m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F16G08CBACBWP-12: C | - | | 6924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F16G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT40A2G4WE-075E: B TR | - | | 3640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 2G x 4 | Paralelo | - | |||
 | PZ28F064M29EWBX | - | | 5814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | PZ28F064M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | MT29F2G01ABAGDWB-IT: G | 2.0207 | | 4733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn | MT29F2G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 8 updfn (8x6) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -MT29F2G01ABAGDWB-IT: GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 2G x 1 | SPI | - | |||
 | Mt29c1g12maajyamd-5 it tr tr TRA | - | | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
 | N25Q032A13SCA0F TR | - | | 2235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | N25Q032A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT46V128M8P-6T: A | - | | 5298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V128M8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT46V128M8P-6TA | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 1 gbit | 700 PS | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |
| MT46V32M4P-5B: D TR | - | | 8489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v32m4 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 32m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | TE28F640P30T85A | - | | 2328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | 28f640p30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 85 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT29F4G16ABAFAH4-AITES: F | - | | 9403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.620 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
| PC28F640P30B85D TR | - | | 6681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F640 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 85 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
| MT62F4G32D8DV-023 AAT: B | 126.4350 | | 3509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| EDFP112A3PB-JDTJ-FR TR | - | | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 192m x 128 | Paralelo | - | ||||
| Mt29c2g24maabahakc-5 e it it | - | | 2185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 107-TFBGA | MT29C2G24 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 107-TFBGA | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 16 (nand), 64m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - |
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