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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1LG-25 AAT: A -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA MT42L16M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 512Mbit Dracma 16m x 32 Paralelo -
MT30AZZZDDB0TPWL-031 WL.19R TR Micron Technology Inc. MT30AZZZDDB0TPWL-031 WL.19R TR 108.7200
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT30AZZZDDB0TPWL-031WL.19RTR 2,000
M29W128GL70N3F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70N3F TR -
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.200 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX: D TR 5.1251
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT53E2D1BFW-DC TR Micron Technology Inc. MT53E2D1BFW-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT53E2 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E2D1BFW-DCTR 2,000
MTFC16GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. Mtfc16gapalna-it -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic MTFC16 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-053 WT: C -
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
N25Q128A11ESE40G Micron Technology Inc. N25Q128A11SE40G -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) N25Q128A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 8-SO W descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-1572-5 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT: E 2.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT29F8T08GULCEM4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QA: C TR 156.3000
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F8T08GULCEM4-QA: CTR 2,000
MT48H8M32LFB5-10 TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-10 TR -
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 100 MHz Volante 256Mbit 7 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
M29W640FT70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640FT70ZA6E -
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 816 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
RC28F256P30TFE Micron Technology Inc. RC28F256P30TFE -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -RC28F256P30TFE 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 16m x 16 Paralelo 100ns
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E -
RFQ
 ECAD 3630 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C - - Mt29tzzz8 Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V - - Obsoleto 0000.00.0000 1.520 933 MHz No Volátil, Volátil 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) Flash, ram 68g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT46V64M8P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T: F -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MTFC64GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. Mtfc64gapalna-it -
RFQ
 ECAD 3701 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja La Última Vez Que Compre MTFC64 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980
MT46V128M8P-75:A Micron Technology Inc. MT46V128M8P-75: A -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 133 MHz Volante 1 gbit 750 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAWP-IT: E TR -
RFQ
 ECAD 7040 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT62F1G16D1DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G16D1DS-023 IT: B TR 12.5550
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G16D1DS-023IT: BTR 2,000 4.266 GHz Volante 16 gbit Dracma 1g x 16 Paralelo -
MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP-IT: C TR -
RFQ
 ECAD 9196 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES: A 77.9550
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F2T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6 L IT: B TR -
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT48LC4M16A2B4-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-6A: J TR -
RFQ
 ECAD 1925 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 12ns
EDFP112A3PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP112 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 933 MHz Volante 24 gbit Dracma 192m x 128 Paralelo -
MT29F2G08AADWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AADWP: D TR -
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
PC48F4400P0VB0EA Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EA -
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64 lbGa PC48F4400 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 512Mbit 100 ns Destello 32m x 16 Paralelo 100ns
NAND256W3A2BZA6F TR Micron Technology Inc. Nand256w3a2bza6f tr -
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 55-TFBGA Nand256 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 55-vfbga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 No Volátil 256Mbit 50 ns Destello 32m x 8 Paralelo 50ns
MT41K256M8DA-107 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 AAT: K 5.5415
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
JS28F128P30TF75A Micron Technology Inc. JS28F128P30TF75A -
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F128P30 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 128 Mbbit 75 ns Destello 8m x 16 Paralelo 75ns
MT48LC16M16A2B4-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A: G 5.8748
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1.560 167 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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