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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F256G08CKCABH2-10Z: A TR | - |  | 6509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT62F768M64D4EK-026 WT: B | 34.2750 | | 7291 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-026WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | |||||||
| M29W256GH70ZS3F TR | - | | 8993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | - | - | M29W256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.800 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J | 83.2350 | | 8344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 254-BGA | Flash - Nand, DRAM - LPDDR4X | - | 254 MCP | - | 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0J | 1 | 2.133 GHz | No Volátil, Volátil | 2Tbit (NAND), 48GBIT (LPDDR4X) | Flash, ram | 256g x 8 (NAND), 1.5GX 32 (LPDDR4X) | UFS2.1 | - | ||||||||
 | MT53D1024M64D8NW-062 WT: D TR | - | | 9693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | |||
 | MT46V16M16CY-5B AAT: M | - | | 9414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.368 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F64G08CBHGBJ4-3R: G TR | - | | 9126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08EMHAFJ4-3T: A | - | | 6292 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT40A2G8JC-062E: E | - | | 8915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A2G8JC-062E: E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53D512M32D2NP-062 WT: D | - | | 3456 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT28F640J3BS-115 MET TR | - | | 6165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-FBGA | MT28F640J3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 Mbbit | 115 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | - | |||
| MT53D1G32D4NQ-062 WT: D | - | | 7499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||||||
 | Mt29f1g08abadah4-it: D | - | | 2743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT40A512M16JY-083E AAT: B | - | | 8819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (8x14) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,280 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | MT35XU01GBBA2G12-0AAT | 22.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XU01 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Autobús xcela | - | |||
| MT35XU02GCBA1G12-0AAT | 39.2300 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XU02 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | MT44K32M18RB-125F: A | - | | 8843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M18 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.190 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
 | MT46V128M4P-6T: D | - | | 7040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 128m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT48LC8M16A2TG-6A: G | - | | 9413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 12ns | ||
| M50FW080N5G | - | | 8717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) | M50FW080 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 40-tsop | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | No Volátil | 8mbit | 250 ns | Destello | 1m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT45W4MW16BFB-708 L WT | - | | 3694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x9) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | M29W400DT70ZE6E | - | | 2237 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.122 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT29F8T08EQLCHL5-QA: C | 167.8050 | | 4857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46H32M32LFB5-6 IT: B TR | - | | 8862 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F16G08ABCBBH1-12: B TR | - | | 7916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F16G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | Paralelo | - | ||||
 | N25q128a13esec0e | - | | 8151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | MTFC64GAJAEDN-5M AIT | - | | 4856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| MT53B512M32D2NP-062 WT: D TR | - | | 2388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
| MT29F4T08GMLCEJ4: C TR | 78.1500 | | 3660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| M58LR128KB70ZB5E | - | | 9274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | M58LR128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-vfbga (7.7x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 70ns |
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