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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41J128M8JP-107: G | - |  | 9936 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (8x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F1G08ABAEAH4-IT: E TR | - | | 5399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F128G08AKCABH2-10: A | - | | 1710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | N25q032a13ese40e | - | | 1608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q032A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | RC48F4400P0VB0E3 | - | | 6588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC48F4400 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (8x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 100ns | ||
 | MT51J256M32HF-70: A | - | | 5570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | M29W400DB70N1 | - | | 2451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT47H64M8B6-5E IT: D TR | - | | 5381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 600 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | M25PX80-VMP6TG0X TR | - | | 9396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25PX80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-vfqfpn (6x5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT28FW01GABA1LJS-0AAT | - | | 9013 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28FW01 | Flash - Ni | 1.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 1 gbit | 105 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | MT29F256G08AMCBBH7-6: B TR | - | | 7600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT46H8M16LFBF-6 EN: K | - | | 7114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H8M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | Sin verificado | |
 | N25Q128A11BSF40G | - | | 1685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q128A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SOP2 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| EDBA232B2PD-1D-FD | - | | 5322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | Edba232 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.680 | 533 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT49H16M36BM-25: B TR | - | | 1332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||
| M29W320DB70N6E | - | | 1231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W320 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT53D256M64D4KA-046 XT: ES B | - | | 6816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53D256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||||
| EDFP164A3PD-MD-FR TR | - | | 7413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | EDFP164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 1067 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | Paralelo | - | ||||
 | MT46V64M8P-6T: F TR | - | | 1413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53D2048M32D8QD-062 WT: D | - | | 4794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | |||
| M50LPW116N5G | - | | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) | M50LPW116 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 40-tsop | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | No Volátil | 16mbit | 250 ns | Destello | 2m x 8 | Paralelo | - | ||
| MT51K128M32HF-60 N: B | - | | 6533 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51K128 | SGRAM - GDDR5 | - | 170-FBGA (12x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.5 GHz | Volante | 4 gbit | RAM | 128m x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT29F2G08ABBEAH4-ITX: E | - | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F4G16ABADAH4: D TR | - | | 3300 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | Mt48v8m16lff4-8 it: g tr | - | | 4326 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48V8M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 2.3V ~ 2.7V | 54-vfbga (8x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 128 Mbbit | 7 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT40A1G16HBA-083E: A | - | | 9455 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9.5x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT29F64G08ABCBBH6-6IT: B | - | | 4505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D4DADT-DC | - | | 8735 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Caja | Activo | MT53D4 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.360 | |||||||||||||||||||
| MT29F4G08ABAEAH4-IT: E TR | - | | 3757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | TE28F256P30TFA | - | | 4576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | 28F256P30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 40 MHz | No Volátil | 256Mbit | 110 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 110ns |
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