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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt29f128g08amaaac5-itz: a | - |  | 1058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-vlga | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT47H64M8CB-37V: B TR | - | | 2370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | Volante | 512Mbit | 500 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT58L256L36PS-7.5TR | 18.9400 | | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | MT53D768M64D4SQ-046 WT: A | - | | 1538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | |||||||
| MT48LC64M4A2BB-6A: G | - | | 5332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT48LC64M4A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 60-TFBGA (8x16) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 64m x 4 | Paralelo | 12ns | |||
| M29W400DT45N6E | - | | 9604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 45 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
| MT62F4G32D8DV-023 AIT: B | 114.9600 | | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AIT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MTFC256GAOAMAM-WT ES | - | | 4600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC256 | Flash - nand | - | - | - | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F4G08ABBEAH4: E | - | | 2380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT48H4M16LFF4-10 | - | | 9173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H4M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.9V | 54-vfbga (8x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | Volante | 64 Mbbit | 7 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F2G08ABAEAWP-AT: E | - | | 8591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT40A256M16GE-083E: B | - | | 7032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.2 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
| Mtfc128gapalph-it | - | | 9165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC128 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC128GAPALPH-AT | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT29F128G08CBEABH6-12IT: A TR | - | | 1251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT46V32M8FG-75E: G | - | | 4801 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-FBGA | Mt46v32m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C | - | | 7636 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT46V16M8P-6TL: DTR | - | | 2621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v16m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT49H8M36FM-5 TR | - | | 7379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | ||
| MT29F8G08ABACAWP-AIT: C TR | 5.8748 | | 6584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Mt29f8g08abacawp-it: CTR | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | Mt25qu256aba8e12-0aat | 5.6268 | | 4871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25Qu256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT40A2G4TRF-093E: A | - | | 5408 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9.5x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 2G x 4 | Paralelo | - | ||||
| MT62F4G32D8DV-023 WT ES: B TR | 90.4650 | | 2717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023WTES: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29E2T08CTCCBJ7-6: C | - | | 5385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29E2T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT45W1MW16BDGB-701 IT | - | | 5138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT45W4MW16BFB-856 WT F | - | | 5562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x9) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 64 Mbbit | 85 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 85ns | |||
| MT53B256M64D2NK-062 WT: C TR | - | | 5231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||
| MT62F1G64D4EK-023 AIT: C TR | 86.2500 | | 4729 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT48H16M16LFBF-6: H | - | | 4622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H16M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | M45PE40-VMP6TG TR | - | | 5408 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M45PE40 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: B | 25.1400 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - |
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