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Memoria (10402)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT45W4MW16BFB-708 WT F	-	RFQ	1094	Micron Technology Inc.	-	Caja	Descontinuado en sic	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	54-vfbga	MT45W4MW16	Psram (pseudo sram)	1.7V ~ 1.95V	54-vfbga (6x9)	descascar	Rohs no conforme	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		Volante	64 Mbbit	70 ns	Psram	4m x 16	Paralelo	70ns
Edy4016aabg-jd-fd	-	RFQ	1063	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	96-TFBGA	Edy4016	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			EAR99	8542.32.0036	1.980	1.6 GHz	Volante	4 gbit		Dracma	256m x 16	Paralelo	-
MT41K1G8TRF-125 IT: E	-	RFQ	3499	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT41K1G8	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9.5x11.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	Volante	8 gbit	13.5 ns	Dracma	1g x 8	Paralelo	-
MT46H32M32LFB5-6 EN: B TR	-	RFQ	2086	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-vfbga	MT46H32M32	SDRAM - Mobile LPDDR	1.7V ~ 1.95V	90-vfbga (8x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	Volante	1 gbit	5 ns	Dracma	32m x 32	Paralelo	15ns
MT29F16G08CBACAL72A3WC1	-	RFQ	8021	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	Morir	MT29F16G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	Morir	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	16 gbit		Destello	2G x 8	Paralelo	-
MT58L128L32F1T-7.5	2.6800	RFQ	85	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	MT58L128L32	Sram - Sincónnico	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Vendedor indefinido		3A991B2A	8542.32.0041	500	113 MHz	Volante	4mbit	7.5 ns	Sram	128k x 32	Paralelo	-
RD48F4400P0VBQEJ	-	RFQ	7658	Micron Technology Inc.	Axcell ™	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	88-TFBGA, CSPBGA	RD48F4400	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	88-SCSP (8x11)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	-RD48F4400P0VBQEJ	3A991B1A	8542.32.0071	1.056	52 MHz	No Volátil	512Mbit	100 ns	Destello	32m x 16	Paralelo	100ns
MT47H64M8CB-5E IT: B TR	-	RFQ	3494	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	60-FBGA	MT47H64M8	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	Volante	512Mbit	600 PS	Dracma	64m x 8	Paralelo	15ns
MT53E4D1AHJ-DC	22.5000	RFQ	1036	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Activo				MT53E4				-			Alcanzar sin afectado	557-MT53E4D1AHJ-DC			1.360
MTFC16GJDEC-2M WT TR	-	RFQ	9179	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	169-WFBGA	Mtfc16g	Flash - nand	1.65V ~ 3.6V	169-WFBGA (14x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	128 GBIT		Destello	16g x 8	MMC	-
MT49H32M18CSJ-25E: B	-	RFQ	1434	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	144-TFBGA	MT49H32M18	Dracma	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0028	1.120	400 MHz	Volante	576Mbit	15 ns	Dracma	32m x 18	Paralelo	-
MT48LC4M32B2P-6: G	-	RFQ	1703	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	MT48LC4M32B2	Sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	Volante	128 Mbbit	5.5 ns	Dracma	4m x 32	Paralelo	12ns
MT62F1536M32D4DS-023 WT ES: B	61.3800	RFQ	9412	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo								-				557-MT62F1536M32D4DS-023WTES: B			1
MT29F256G08CMCABH2-12Itz: A TR	-	RFQ	8123	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 TBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	100 TBGA (12x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1,000	83 MHz	No Volátil	256 GBIT		Destello	32g x 8	Paralelo	-
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES: B TR	-	RFQ	5825	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	272-WFBGA	MT53B512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	272-WFBGA (15x15)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1,000	1.6 GHz	Volante	32 GBIT		Dracma	512m x 64	-	-
N25q064a11esecff tr	-	RFQ	8478	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	N25Q064A11	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	8-SO	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1.500	108 MHz	No Volátil	64 Mbbit		Destello	16m x 4	SPI	8 ms, 5 ms
MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR	5.0771	RFQ	4564	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	MT25QL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	32m x 8	SPI	8 ms, 2.8 ms
MT48H4M16LFB4-10	-	RFQ	5035	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-vfbga	MT48H4M16	SDRAM - LPSDR MÓVIL	1.7V ~ 1.9V	54-vfbga (8x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	104 MHz	Volante	64 Mbbit	7 ns	Dracma	4m x 16	Paralelo	15ns
MT58L64L32PT-6	3.5200	RFQ	75	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	MT58L64L32	Sram	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Vendedor indefinido		3A991B2A	8542.32.0041	500	166 MHz	Volante	2 mbit	3.5 ns	Sram	64k x 32	Paralelo	-
MT46V128M4BN-75: D TR	-	RFQ	2701	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	60-TFBGA	MT46V128M4	SDRAM - DDR	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	ROHS3 Cumplante	5 (48 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	Volante	512Mbit	750 ps	Dracma	128m x 4	Paralelo	15ns
MT53B768M32D4NQ-062 AIT: B	-	RFQ	5382	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	200-vfbga	MT53B768	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.360	1.6 GHz	Volante	24 gbit		Dracma	768m x 32	-	-
MT29F64G08CBAAAWP-IT: A	-	RFQ	7297	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT29F64G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	64 GBIT		Destello	8g x 8	Paralelo	-
M29W800DB70ZE6E	-	RFQ	5618	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFBGA	M29W800	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	187		No Volátil	8mbit	70 ns	Destello	1m x 8, 512k x 16	Paralelo	70ns
MT29F4T08EMLCHD4-T: C	83.9100	RFQ	6270	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-T: C			1
JS28F512P33EF0	-	RFQ	7439	Micron Technology Inc.	Axcell ™	Banda	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	JS28F512P33	Flash - Ni	2.3V ~ 3.6V	56-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0051	96	40 MHz	No Volátil	512Mbit	105 ns	Destello	32m x 16	Paralelo	105ns
MT29F2G08ABAEAWP-AATX: E	5.6400	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT29F2G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	960		No Volátil	2 GBIT		Destello	256m x 8	Paralelo	-
MT28GU01GAAA2EGC-0SIT	-	RFQ	4883	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	64-TBGA	MT28GU01	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	64-TBGA (10x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1.800	133 MHz	No Volátil	1 gbit	96 ns	Destello	64m x 16	Paralelo	-
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ: A	-	RFQ	1272	Micron Technology Inc.	-	Tubo	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 lbGa	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	100 lbGa (12x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	No Volátil	512 GBIT		Destello	64g x 8	Paralelo	-
MT53E768M32D2NP-046 WT: B	14.6700	RFQ	1018	Micron Technology Inc.	-	Banda	Activo								-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	557-MT53E768M32D2NP-046WT: B			1.360
MT29F4T08EULEEM4-QJ: E	105.9600	RFQ	7820	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo								-				557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: E			1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²