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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES: E -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 267 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A IT: L TR -
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 2,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 32 Paralelo 12ns
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AJAAAWP-IT: A -
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT47H64M16B7-37E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-37E: A -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 92-FBGA (11x19) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 267 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT44K32M18RB-093E:B TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E: B TR -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K32M18 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz Volante 576Mbit 8 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6599 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F2G01 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V Morir - Obsoleto 1 No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 AAT: E TR -
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 2,000 800 MHz Volante 4 gbit 13.75 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT46V64M8BN-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-75 IT: D TR -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
PC28F640P33T85A Micron Technology Inc. PC28F640P33T85A -
RFQ
 ECAD 1072 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F640 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 52 MHz No Volátil 64 Mbbit 85 ns Destello 4m x 16 Paralelo 85ns
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M 7.7000
RFQ
 ECAD 7598 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CEHBBJ4-3RES: B TR -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
M25P20-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P20-VMN3PB -
RFQ
 ECAD 5699 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P20 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 75 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
EMFA164A2PM-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFA164A2PM-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo EMFA164 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
MT29F2T08EMHBFJ4-T:B Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHBFJ4-T: B -
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F2T08 Flash - Nand (TLC) 1.7V ~ 1.95V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F2T08MHBFJ4-T: B Obsoleto 8542.32.0071 1.120 No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
M28W640FCT70N6E Micron Technology Inc. M28W640FCT70N6E -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M28W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 4m x 16 Paralelo 70ns
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F256G08AKCBBH7-6IT: B -
RFQ
 ECAD 4621 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT55L256L32PF-10 Micron Technology Inc. MT55L256L32PF-10 8.9300
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 165-FBGA (13x15) descascar 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz Volante 8mbit 5 ns Sram 256k x 32 Paralelo -
MTFC4GLYAM-WT TR Micron Technology Inc. Mtfc4glyam-wt tr -
RFQ
 ECAD 1458 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - Mtfc4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MT29F512G08CKCABK7-6:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABK7-6: A -
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT48V8M16LFF4-10:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-10: G -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48V8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 2.3V ~ 2.7V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 100 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MTFC256GAXATHF-WT TR Micron Technology Inc. Mtfc256gaxathf-wt tr 27.5700
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MTFC256GAXATHF-WTTR 2,000
MT62F1536M32D4DS-026 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 WT ES: B TR 51.0300
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F1536M32D4DS-026WTES: BTR 2,000
MT48LC2M32B2B5-7:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-7: G -
RFQ
 ECAD 2303 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 143 MHz Volante 64 Mbbit 5.5 ns Dracma 2m x 32 Paralelo 14ns
MT60B1G16HT-48B AAT:A Micron Technology Inc. MT60B1G16HT-48B AAT: A 31.3050
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 144-TFBGA SDRAM - DDR5 - 144-FBGA (11x18.5) - 557-MT60B1G16HT-48BAAT: A 1 2.4 GHz Volante 16 gbit Dracma 1g x 16 Paralelo -
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
NAND512W3A2SE06 Micron Technology Inc. Nand512w3a2se06 -
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Nand512 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512Mbit 50 ns Destello 64m x 8 Paralelo 50ns
MT25QU256ABA8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25Qu256ABA8E12-0AUT TR 6.2100
RFQ
 ECAD 8962 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25Qu256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Mt25qu256aba8e12-0auttr 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 166 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 1.8ms
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AUT: B -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT40A1G8WE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E: B TR -
RFQ
 ECAD 3618 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
NAND01GW3B2CZA6E Micron Technology Inc. Nand01gw3b2cza6e -
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-TFBGA Nand01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9.5x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Nand01gw3b2cza6e 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit 25 ns Destello 128m x 8 Paralelo 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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