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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página Sic programable
MT29F1T08CUCCBH8-6C:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6C: C -
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F1T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT53E2DDDS-DC Micron Technology Inc. Mt53e2ddds-dc 22.5000
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT53E2 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E2DDDDDS-DC 1.360
MT29F1G08ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAHC: D TR -
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT40A1G16KNR-075:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075: E 20.8542
RFQ
 ECAD 1008 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda La Última Vez Que Compre 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 100 1.33 GHz Volante 16 gbit 19 ns Dracma 1g x 16 Paralelo 15ns Sin verificado
M29W040B55N1 Micron Technology Inc. M29W040B55N1 -
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W040 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 32-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 156 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8 Paralelo 55ns
M25P80-VMC6TG TR Micron Technology Inc. M25P80-VMC6TG TR -
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición M25P80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 4.000 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
JS28F256J3D95A Micron Technology Inc. JS28F256J3D95A -
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F256J3 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 256Mbit 95 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 95ns
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT: B TR 16.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 178-vfbga MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT41K64M16TW-107 XIT:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 XIT: J -
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1.368 933 MHz Volante 1 gbit 20 ns Dracma 64m x 16 Paralelo -
MTEDFAE8SCA-1P2IT Micron Technology Inc. Mdefae8sca-1p2it -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Activo Mtedfae8 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 150
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2LZ-107 XT: B -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V 216-FBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.680 933 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
MTFC32GAZAOTD-AAT Micron Technology Inc. Mtfc32gazaotd-aat 27.3450
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MTFC32Gazaotd-AAT 1
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAWP-M: D TR -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
M29F800DT55N6 Micron Technology Inc. M29F800DT55N6 -
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F800 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 8mbit 55 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 55ns
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E AAT: B TR -
RFQ
 ECAD 5276 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-8 IT: G -
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 125 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT28F400B5WP-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 TET -
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28F400B5 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
MT62F768M64D4EJ-031 AAT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 AAT: A 102.7800
RFQ
 ECAD 2604 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT62F768 - Alcanzar sin afectado 557-MT62F768M64D4EJ-031AAT: A 1.190
M25P16-VME6TG TR Micron Technology Inc. M25p16-vme6tg tr -
RFQ
 ECAD 1603 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25P16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 4.000 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFMA-5 IT: B TR -
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 1 gbit 5 ns Dracma 32m x 32 Paralelo 15ns
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
M29W640GT60NA6E Micron Technology Inc. M29W640GT60NA6E -
RFQ
 ECAD 4286 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 64 Mbbit 60 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 60ns
MT46V64M8P-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-75 L: D TR -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP - ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
N25Q064A13EF8H0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8H0F TR -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MTFC16GLXAM-WT Micron Technology Inc. Mtfc16glxam-wt -
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - Mtfc16g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
M29F010B45K6E Micron Technology Inc. M29F010B45K6E -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M29F010 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 32 No Volátil 1 mbit 45 ns Destello 128k x 8 Paralelo 45ns
MT46V32M16P-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT: J TR 4.9603
RFQ
 ECAD 8506 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-053 WT: C TR -
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
N25Q032A13EF4A0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13EF4A0F TR -
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición N25Q032A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 108 MHz No Volátil 32Mbit Destello 8m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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