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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
M29W010B90K1 Micron Technology Inc. M29W010B90K1 -
RFQ
 ECAD 7056 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M29W010 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 32 No Volátil 1 mbit 90 ns Destello 128k x 8 Paralelo 90ns
PC28F512M29EWHB TR Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHB TR -
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa PC28F512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 512Mbit 100 ns Destello 64m x 8, 32m x 16 Paralelo 100ns
MT29F1G08ABADAWP-IT:D Micron Technology Inc. Mt29f1g08abadawp-it: D -
RFQ
 ECAD 9739 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT46V64M8P-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8P-75 L: D -
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP - ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT53D4DACB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DACB-DC -
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - - MT53D4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 Volante Dracma
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAFAH4-AITES: F TR -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT53B512M16D1Z11NWC1 Micron Technology Inc. MT53B512M16D1Z11NWC1 -
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 Micron Technology Inc. * Una granela Activo MT53B512 - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
JS28F256J3F1058 TR Micron Technology Inc. JS28F256J3F1058 TR -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F256J3 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.600 No Volátil 256Mbit 105 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 105ns
M29W400DT55ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DT55ZE6E -
RFQ
 ECAD 1229 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 187 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
MT46V128M4FN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-6: D TR 32.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) descascar Rohs no conforme 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
MT53E1G64D4NW-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NW-046 WT: C TR 47.0400
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 432-vfbga MT53E1 432-vfbga (15x15) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT53E1G64D4NW-046WT: CTR 2,000
MT29F2T08EELCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QJ: C 41.9550
RFQ
 ECAD 4002 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08EELCHD4-QJ: C 1
MT29F128G08CBCABL85A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABL85A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT40A4G8KVA-083H:G Micron Technology Inc. MT40A4G8KVA-083H: G -
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A4G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.140 1.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 4g x 8 Paralelo -
MT46V32M16P-75:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-75: C TR -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP - ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1LG-25 AAT: A -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA MT42L16M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 512Mbit Dracma 16m x 32 Paralelo -
MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECCBH6-6R: C TR -
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F8T08GULCEM4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QA: C TR 156.3000
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F8T08GULCEM4-QA: CTR 2,000
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR Micron Technology Inc. Mt29f16g08abacawp-itz: c tr -
RFQ
 ECAD 6938 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
M29W640FB70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W640FB70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AUT: B -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT29F512G08CKCABK7-6:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABK7-6: A -
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
M50FLW080AK5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW080AK5TG TR -
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M50FLW080 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 750 33 MHz No Volátil 8mbit 250 ns Destello 1m x 8 Paralelo -
MT40A1G8WE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E: B TR -
RFQ
 ECAD 3618 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
MT53E768M32D4DE-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DE-046 AIT: E 26.6100
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo descascar 557-MT53E768M32D4DE-046AIT: E 1
MT41K512M8DA-125:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-125: P TR -
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 800 MHz Volante 4 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-053 WT: C -
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT48H8M32LFB5-10 TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-10 TR -
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 100 MHz Volante 256Mbit 7 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT42L128M64D4LD-25 IT:A Micron Technology Inc. Mt42l128m64d4ld-25 it: a -
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Descontinuado en sic -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 220-vfbga MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-IT: D 5.9300
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.140 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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